Cтраница 4
Постоянная времени - время после освещения или затемнения ( включения или выключения света), в течение которого световой ток увеличивается или уменьшается на 63 % от установившегося значения. Увеличение освещенности и повышение напряжения на фоторезисторе уменьшает время спадания светового тока. [46]
![]() |
Вольтамперные характеристики фоторезисторов. / - в темноте. 2 -при освещении. [47] |
При отсутствии освещения через фоторезистор, находящийся под напряжением, протекает темновой ток ( / тем на рис. 6.3), который определяется движением свободных носителей заряда, появившихся в полупроводниковом материале вследствие тепловых колебаний. При падении на фоторезистор светового потока Ф ток возрастает до величины светового тока / св. [48]
Фотосопротивления обладают большой инерционностью. При увеличении частоты прерывания ( модуляции) света, падающего на фотосопротивление, переменный световой ток быстро уменьшается. Происходит это потому, что Световой ток состоит из двух слагаемых. Первое представляет собой ток первичных фотоэлектронов, переводимых - квантами света з зону проводимости. [49]
![]() |
Основные характеристики фоторезисторов. [50] |
Статические ВАХ ( рис. 2 - 100, а) выражают зависимость постоянного тока, протекающего через фоторезистор, от приложенного напряжения при фиксированных значениях освещенности. Нижняя из показанных на рис. 2 - 100, а кривых снимается в отсутствие освещения и соответствует темновому току / т, остальные представляют зависимость светового тока при различной освещенности. ВАХ фоторезисторов линейны или близки к линейным. [51]
Перенос дырок через пластинку, очевидно, не будет различным для обоих барьеров. Было установлено, что эта величина остается неизменной при изменении температуры от 15 до 60 С, концентрации КОН от 0 01 до 10 %, удельном сопротивлении материала электронной проводимости от 0 2 до 6 ом см, световых токах от 0 1 до 1 0 ма / см2 и для 0 1 N раствора сульфата индия. [52]
Еще менее верно второе допущение, что концентрация может быть определена по возрастанию тока между электродами 1 та. Более того, наши опыты показали, что ток зависит от направления приложенной к кристаллу разности потенциалов. Световой ток ( общий ток за вычетом темнового) в несколько раз сильнее, если электрическое поле направлено так, чтобы переносить электроны из освещенных участков в темные ( электрод 7 отрицательный), чем наоборот. [53]
![]() |
Световая ( люкс-амперная характеристика фоторезистора. [54] |
Наибольшая чувствительность получается при малых освещенностях. Это позволяет использовать фоторезисторы для измерения очень малых интенсивностей излучения. При увеличении освещенности световой ток растет примерно пропорционально корню квадратному из освещенности. Наклон люкс-амперной характеристики зависит от приложенного к фоторезистору напряжения. [55]
Фотосопротивления обладают большой инерционностью. При увеличении частоты прерывания ( модуляции) света, падающего на фотосопротивление, переменный световой ток быстро уменьшается. Происходит это потому, что Световой ток состоит из двух слагаемых. Первое представляет собой ток первичных фотоэлектронов, переводимых - квантами света з зону проводимости. [56]
Приведенные в табл. 3 значения параметров серии сто-кадмиевых и селенисто-кадмиевых фоторезисторов соответствую значениям, указанным в технических условиях на отдельные типь фоторезисторов. На самом деле для подавляющего большинства при боров их параметры существенно лучше. Так, например, средне значение светового тока примерно в два раза больше, чем дан. [58]
Принято регламентировать для конкретных типов фоторезисторов минимальный све-тоной ток при максимальном рабочем напряжении и освещенности 200 лк. Фактическая величина светового тока может быть в 2 - 5 раз больше указанного в табл. 10 - 44 минимального гарантируемого значения. Поскольку темповой ток в сотни раз меньше светового тока, между фототоком и световым током практически нет разницы. [59]
У контактного электрода слоя р дырки нейтрализуются с электронами, приходящими из внешней цепи. Электроны же, возникающие в слое п, уходят непосредственно из этого слоя во внешнюю цепь. Возникающее при этом увеличение тока во внешней цепи представляет собой так называемый световой ток. [60]