Достаточно больший ток

Cтраница 2

Поэтому термин омический является условным и отражает лишь тот факт, что при достаточно больших токах зависимость тока от напряжения перестает быть экспоненциальной и становится значительно более слабой. [16]

Влияние объемного сопротивления базы на прямую характеристику реального диода. [17]

Поэтому термин омический является условным и отражает лишь тот факт, что при достаточно больших токах приложенное напряжение падает в основном на базовом слое, а не на переходе. [18]

С увеличением управляющего тока кривая внешней характеристики в проводящем квадрате смещается влево, и при достаточно больших токах управления характеристика становится такой же, как у неуправляемого вентиля. [19]

Схема метода разнесенных рамок. [20]

Так как индуцируемое над землей поле очень слабое, то удовлетворительные результаты этим способом можно получить только при достаточно больших токах в генераторной рамке. [21]

Формы сечения витка обмотки при различном числе параллельных проводов. [22]

В зависимости от тока нагрузки виток может быть выполнен одним проводом круглого сечения, или проводом прямоугольного сечения, или, при достаточно больших токах, группой параллельных проводов круглого или, чаще, прямоугольного сечения. [23]

Защитные характеристики плавких вставок. [24]

Рассматривая защитные характеристики предохранителей, нетрудно убедиться, что при больших токах, протекающих через последовательно включенные предохранители, разница во времени их перегорания уменьшается, и при достаточно больших токах, например при токах короткого замыкания, селективность действия последовательно включенных предохранителей будет не обеспечена. Поэтому при подборе предохранителей для последовательного включения необходимо, чтобы номинальные токи плавких вставок их отличались между собой на две ступени шкалы номинальных токов. [25]

Платиновый игольчатым электрод. [26]

При работе со щелочными и нейтральными растворами в тех случаях, когда растворенный кислород можно было удалить путем добавки сульфита, Т. А. Крюковой при помощи медного амальгамированного электрода, имеющего форму метлы, были получены достаточно большие токи. [27]

Эквивалентная схема ПО структуры с РОУЭ ( см. рис. 11.41) позволяет построить ее переходную характеристику в виде наложения токов вспомогательной и основной структур Ief и 1аъ, как изображено на рис. 11.45. При достаточно больших токах / G кривая тока вспомогательной структуры характеризуется задержкой, равной собственной задержке no-pi - n2 - p2 структуры tef. Задержка включения основной структуры складывается из времени накопления критического заряда в ее р-базе t b и ее собственного времени задержки tab. В связи с тем что различие в токах / GO основной и вспомогательной структур, если не принимать специальных мер, как правило, незначительное, то tf очень мало и форма нарастания тока ПО структуры с РОУЭ практически не отличается от формы тока ПО структуры с ОУЭ. [28]

Матрица ПЗУ на МДП-тран-зисторах. [29]

Для этого необходимо, чтобы выполнялись два условия: во-первых, схемы декодирования и выборки должны позволять одновременную выборку элементов во всех разрядах матрицы и, во-вторых, схемы, связанные с разрядными шинами, должны рассчитываться на достаточно большие токи, чтобы обеспечить потенциал на этих шинах, близкий к нулевому. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5