Эмиттерный ток

Cтраница 3

Чем больше s, тем больше изменяется под действием входного импульса эмиттерный ток и тем больше успевает измениться за это время напряжение на конденсаторе Сэ. С уменьшением СЭ) а также при увеличении длительности импульса это изменение напряжения становится больше. [31]

При работе в области насыщения с повышением базового тока транзистора увеличивается только прямой эмиттерный ток, а коллекторный ток остается неизменным и равным / кп, в отличие от работы транзистора в активной области, когда с повышением базового тока возрастают и коллекторный и эмиттерный ток. [32]

Аналогичная по характеру местная обратная связь охватывает оконечный и второй каскады ( эмиттерный ток выходного каскада поступает через выходное сопротивление первого транзистора на базу второго транзистора); эти две местные обратные связи перекрещиваются ва втором каскаде. [33]

При уменьшении входного напряжения тормозящее действие потенциального барьера эмиттерного перехода возрастает, а эмиттерный ток уменьшается по величине. Это вызывает уменьшение коллекторного тока и, следовательно, увеличение сопротивления коллекторного перехода. Напряжение источника Ек распределится в схеме следующим образом: на сопротивлении коллекторного перехода оно увеличится, а на сопротивлении нагрузки уменьшится. [34]

Схемы включения транзисторов. [35]

При малых значениях напряжения между эмиттером и базой ( f / эб) эмиттерный ток / 9 растет медленно ( сопротивление р-и-перехода велико), а затем крутизна характеристики увеличивается. [36]

Если концентрация основных носителей в эмиттерной и базовой областях была бы одинакова, то эмиттерный ток состоял бы наполовину из электронов, инжектированных из базы в эмиттер, наполовину из дырок, инжектированных из эмиттера в базу. [37]

Поскольку входной транзистор насыщен, коллекторный ток / Ki остается практически неизменным, а эмиттерный ток / Э1 несколько уменьшается за счет изменения базового тока / бь В связи с уменьшением тока / Э1 происходит некоторое повышение эмиттерного напряжения U 3, поскольку эмиттерный ток насыщенного выходного транзистора практически не изменяется. Существенное изменение базового тока 7 ci при повышении входного напряжения происходит до тех пор, пока транзистор 7 находится в режиме насыщения. [38]

При эмиттерной обратной связи ( рис. 1.24 а, в, г ] стабилизируется эмиттерный ток выходного каскада, являющийся суммой выходного коллекторного тока и существенно нелинейного тока базы. Поэтому для получения линейного коллекторного тока следует использовать в выходном каскаде транзистор или комбинацию нескольких транзисторов с большим усилением и, следовательно, с относительно малым входным током. [39]

Формирующее трщтерное устройство ФТУ. Оа об О О.| Пороговое устройство ЯУ. [40]

При отсутствии первичного сигнала транзистор Т4 схемы ЯУ закрыт, а транзистор ТЗ открыт и эмиттерный ток его проходит через транзистор Т1, который выполняет роль стабилизатора тока, обеспечивая тем самым устойчивую работу всей схемы ЯУ в условиях изменения температуры и питающего напряжения. [41]

Застревание на фронте импульса происходит при за-пираний транзистора, когда с увеличением напряжения на коллекторе эмиттерный ток, текущий через коллекторный переход, умножает электроны и дырки в сильном поле коллектора вследствие ударной ионизации и рассеянной в тепло мощности. Когда число основных носителей ( для р-п - р транзистора-электронов), поступающих при этом в базу в единицу времени, сравняется с величиной тока, которую может оттянуть запирающий импульс, наступит состояние равновесия. В некоторых равновесных точках транзистор может застрять. Оказывается, что в связи с явлением кумуляции в общем случае может быть пять равновесных точек, три из которых являются устойчивыми. Застревание в устойчивых точках создает условия для рассеивания больших значений энергии и выхода транзисторов из строя. [42]

Формы тока и напряжения на эмиттере релаксационного генератора с управлением по эмиттеру. [43]

Когда кристаллический триод входит в свою переходную область действие положительной обратной связи в схеме вызывает эмиттерный ток, который очень быстро увеличивается до тех пор, пока кристаллический триод не достигает области насыщения. [44]

В общем, однако, очевидно, что устранение насыщения с помощью большого сопротивления, ограничивающего эмиттерный ток, создает множество трудностей. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5