Пороговый ток
Cтраница 3
 |
Температур - ная зависимость. [31] |
От температуры также существенно зависит такой важнейший параметр лазера, как плотность порогового тока. На рис. 4.8 показана температурная зависимость плотности порогового тока / ПОР для инжекционных лазеров различных типов. Это не позволяет, в частности, получить для таких лазеров непрерывную генерацию при комнатной температуре. Снизить / ПОР ( кривые 3, 4) и существенно улучшить эффективность инжекционных лазеров удалось при переходе к гетерогенной структуре р-п перехода. [32]
В начале генерации вынужденное излучение составляет лишь небольшую долю от спонтанного, и пороговый ток / п практически определяется спонтанной рекомбинацией и равен произведению заряда е на число спонтанно рекомбинирующих электронов. [33]
В случае, когда максимальный коэффициент усиления линейно связан с током, плотность порогового тока можно представить в виде суммы / по и некоторой добавки, зависящей от радиационного шума. [34]
Порог генерации лазерных диодов зависит от геометрии активной области, поэтому вместо понятия порогового тока часто пользуются понятием плотности порогового тока. [36]
 |
Зонная диаграмма лазерной двусторонней гетер остр у ктуры ( 99, в при термодинамическом равновесии ( а и в режиме генерации ( б. [37] |
Минимальный ток, при котором удовлетворяется условие (19.12), а Яг0, будет пороговым током. [38]
 |
Кривые зависимости порогового тока накачки от напряженности магнитного поля. [39] |
Амплитудную модуляцию полупроводниковых ОКГ можно осуществить также с помощью магнитного поля, которое влияет на пороговый ток генерации. К недостаткам этого способа относится трудность создания и возбуждения управляющих полей. [40]
 |
Ход потенциала в активной области. [41] |
Используя (37.39), определим пороговое напряжение на р - тг-переходе, соответствующее началу генерации, и пороговый ток. [42]
Применение гетероструктур с квантовыми ямами и сверхрешетками типа AIGaAs / GaAs в полупроводниковых лазерах позволило значительно снизить пороговые токи, использовать более короткие волны излучения и улучшить другие эксплуатационные характеристики в быстродействующих оптиковолоконных системах передачи информации. Переход к гетероструктурам с квантовыми проволоками и точками приводит к еще более значительным результатам ( дальнейшее уменьшение порогового тока, повышение температурной стабильности и др.), важным для лазеров, оптических модуляторов, детекторов и эмиттеров, работающих в дальней инфракрасной области. Полупроводниковые наноструктуры весьма перспективны для систем преобразования солнечной энергии. [43]
Обнаруженные свойства автономности ячеек, постоянства приходящегося на ячейку среднего тока, а также близость последнего к пороговому току дуги с ртутным катодом позволяют рассматривать ячейки как простейшие составные части катодного пятна или элементарные ячейки дуги. [44]
При увеличении длины кристашла L ( длины резонатора) усиление за один проход возрастает и соответственно падает плотность порогового тока. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5