Cтраница 4
Данный режим управления используется также в интегральных BIMOS-модулях типа каскод. В таком ключе сигнал управления подается не на основной высоковольтный транзистор 1 / Т1: а на вспомогательный низковольтный и быстродействующий транзистор VT2, включенный последовательно в эмиттерную цепь основного. Часто в качестве Биполярный ключ с эмит-низковольтного управляющего транзистора ис - терным управлением пользуют быстродействующий МДП-ключ При открывании VTZ в базу основного транзистора поступает отпирающий ток, подключая нагрузку к источнику питания. При запирании VT2 происходит обрыв цепи эмиттера силового транзистора VT, и коллекторный ток последнего до полного рассасывания заряда в базовой и высокоомный коллекторной области замыкается через коллекторный переход VTi, диод VD и источник Vo Скорость выключения / Тл существенно возрастает, так как запирающий ток базы равен току коллектора. Так как на этапе запирания эмиттерная цепь силового ключа оборвана, происходит расширение границ ОБР до максимальных границ, определяемых максимальным током коллектора и напряжением пробоя коллекторного перехода. [46]