Cтраница 1
Максимальный ток базы, транзистора ограничивается сопротивлением вывода и контактов базы. Ограничение по максимальному току коллектора, как правило, наступает раньше, чем достигается максимальный ток базы. [1]
Если максимальный ток базы транзистора больше 3 - 5 мА, необходимо включить в схему третий транзистор. [2]
Подсчитывают по (8.12) максимальный ток базы 7 на границе насыщения / з a I / K. H mi / Pi и выбирают резистор RK. Определяют максимальный коллекторный ток насыщенного фототранзистора / к-н. [3]
Подсчитывают по (8.12) максимальный ток базы 7 на границе насыщения / о и I / K. H mi / Pi и выбирают резистор Лк - ф из очевидного условия RK. [4]
Коллекторный ток первого транзистора должен быть значительно больше максимального тока базы второго, тогда режим первого транзистора выбирается без учета тока базы второго. [5]
![]() |
Эквивалентная схема смещения транзисторов автогенератора. [6] |
Минимальный коэффициент усиления тока транзистора типа 2N1372 равен 30, следовательно, максимальный ток базы будет 1 2 ма. В качестве Гз выбирается кремниевый транзистор типа 2N120, чтобы уменьшить нестабильность выходного напряжения стабилизатора с температурой. Минимальный коэффициент усиления по току транзистора 2N120 равен 76, следовательно, в базу этого транзистора требуется подавать ток 16 мка. [7]
По динамической характеристике определяем: ток базы в режиме покоя / бо - 4 мА, максимальный ток базы ( б так. [8]
Tt при максимальном выходном токе ( когда Tj практически выключен) в дополнение к минимальному току, требуемому в Dv В свою очередь DL должен управлять максимальным током, который может протекать через Н, и максимальным током базы, который может протекать от ГТ1 при отсутствии нагрузки. [9]
Через вывод 16 запитывается коллектор выходного транзистора, который управляется внешней схемой Дарлингтона. Внешний резистор ограничивает максимальный ток базы схемы Дарлингтона. [10]
Максимальный ток базы, транзистора ограничивается сопротивлением вывода и контактов базы. Ограничение по максимальному току коллектора, как правило, наступает раньше, чем достигается максимальный ток базы. [11]
Выбрать рабочую точку транзистора в классе В можно графически. Из полученной точки / проведем прямую, которая должна пересекать в точке перегиба коллекторную характеристику, соответствующую выбранному максимальному току базы 1 Б макс, получим точку 2 максимального коллекторного тока / к макс, которая соответствует минимальному коллекторному напряжению f / кмин - Эту точку максимального коллекторного тока выбирают в области, где коллекторные характеристики не сближаются чрезмерно, для того чтобы коэффициент усиления р сильно не уменьшался и нелинейные искажения были в пределах нормы. [12]
![]() |
Эквивалентная схема для расчета минимального входного сопротивления двухтактного эмит-терного повторителя. [13] |
Следует только учесть, что при изменении базового тока величина / гцэ тоже меняется. Наименьшее значение этот параметр имеет при максимальном токе базы. Как правило, именно это значение / гцэ. [14]
Расчет производится следующим образом. Возьмем тот же нижний предел тока - 1 7 ма через Ra, который был принят для Ri в предыдущей схеме ( фиг. Этот обратный ток может обеспечить суммарное время выключения 0 5 мксек при максимальном токе базы перед выключением 0 57 ма ( см. стр. [15]