Cтраница 3
Читатель Б: С элементарными токами все понятно. [31]
Физически поле магнита создается элементарными токами в теле магнита. Однако напряженность поля Я, с которой мы имеем дело во всех технических расчетах, определяется так, что & Hdl равен только макроскопическим токам, протекающим в проводниках, охватываемых контуром интегрирования, и в его величину не входят элементарные токи в намагниченных телах. [32]
При отсутствии внешнего магнитного поля элементарные токи внутри вещества ориентированы беспорядочно, поэтому общий ( суммарный) магнитный момент даже малых объемов вещества равен нулю и в окружающем пространстве магнитное поле элементарных внутренних токов не обнаруживается. [33]
Существуют вещества, в которых элементарные токи под действием внешнего поля располагаются так, что происходит усиление поля. К ним относятся так называемые парамагнитные и ферромагнитные вещества. Существует другая группа веществ, называемых диамагнитными, в которых под действием внешнего магнитного поля возникают такие дополнительные элементарные токи, которые ослабляют вызвавшее их поле. [34]
Для точек вдали от границы элементарные токи компенсируют друг друга. Только на границах - на поверхности проводника и на поверхности цилиндра - возникают некомпенсируемые молекулярные токи, причем на поверхности проводника они направлены вдоль тока, а на поверхности цилиндра - в противоположном направлении. [35]
Влияние внешнего магнитного поля на элементарные токи в веществе состоит в том, что изменяется ориентация осей вращения частиц так, что их магнитные моменты оказываются направленными в одну сторону. Интенсивность и характер намагничивания у различных веществ в одинаковом внешнем магнитном поле значительно отличаются. С этой точки зрения различают диамагнитные, парамагнитные и ферромагнитные вещества. [36]
Существуют вещества, в которых элементарные токи под действием внешнего поля располагаются так, что происходит усиление поля. К ним относятся так называемые парамагнитные и ферромагнитные вещества. Существует другая группа веществ, называемых диамагнитными, в которых под действием внешнего магнитного поля возникают такие дополнительные элементарные токи, которые ослабляют вызвавшее их поле. [37]
Плотность тока б определяется отношением элементарного тока dl, протекающего через элементарную перпендикулярную площадку ds, к величине этой площадки, см. ( 3 - 3): б dl Ids. Направление вектора б определяет направление тока в данной точке проводника. [38]
При отсутствии магнитного поля внешних токов элементарные токи внутри вещества ориентированы беспорядочно, поэтому общий магнитный момент даже малых объемов вещества оказывается равным нулю, а магнитное поле элементарных токов не обнаруживается. [39]
Ввиду равенства сил, действующих на элементарный ток и на магнитный диполь одинакового момента М), формулы эти применимы и к элементарному току. [40]
Ввиду равенства сил, действующих на элементарный ток и на магнитный диполь одинакового момента М1), формулы эти применимы и к элементарному току. [41]
Ввиду равенства сил, действующих на элементарный ток и на магнитный диполь одинакового момента М), формулы эти применимы и к элементарному току. [42]
![]() |
Магнитный момент элементарных токов. [43] |
Влияние магнитного поля внешних токов на круговые элементарные токи в веществе состоит в том, что изменяется ориентация осей вращения частиц так, что их магнитные моменты оказываются направленными в одну сторону. [44]
Теперь, поскольку каждый из этих элементарных токов может рассматриваться как маленький плоский ток, расстояние которого от Р велико по сравнению с его размерами, мы можем вместо него подставить элементарный магнитный листок силы i, граница которого совпадает с контуром элементарного тока. Магнитное действие этого элементарного листка в Р эквивалентно действию, производимому элементарным током. Все элементарные листки вместе составляют магнитный листок силы i, совпадающий с поверхностью S и ограниченный первоначальным током, а магнитная сила всего листка в Р эквивалентна магнитной силе контура. [45]