Перпендикулярный ток
Cтраница 1
Перпендикулярный ток ( рис. III-6): направление потока газа нормально к поверхности раздела фаз, газ сталкивается со слоем твердых частиц. В этом случае слой твердых частиц также обычно неподвижен, но может и двигаться. [2]
Я, v, d3KB - условная скорость газов, отнесенная ко всему сечению засыпки, перпендикулярному току газов ( м / сек), коэффициенты теплопроводности ( вт / м град) и кинематической вязкости ( м2 / сек) газового потока и эквивалентный диаметр зерен засыпки ( см. гл. [3]
 |
Движение заряженной частицы в однородном магнитном поле. [4] |
Если неподвижный проводник, по которому проходит ток, находится в магнитном голе, силы поля, действуя на упорядочение движущиеся в проводнике заряды, отклонят их в направлении, перпендикулярном току. [5]
 |
Движение заряженной частицы в однородном магнитном поле. [6] |
Если неподвижный проводник, по которому проходит ток, находится в магнитном поле, силы поля, действуя на упорядоченно движущиеся в проводнике заряды, отклонят их в направлении, перпендикулярном току. [7]
Эффект Холла заключается в следующем: еоли через проводящее тело протекает ток /, а тело это помещено в магнитное поле напряженностью Я, перпендикулярное направлению тока, то в направлении, перпендикулярном току и полю, возникает эд. [9]
 |
Фотография структуры течения электролита при расположении трех магнитов с чередующейся полярностью под дном кюветы и числах Рейиольдса. [10] |
При применении в качестве источника неоднородного магнитного поля кольцевого магнита марки 2 8 БА диаметром 52 мм, намагниченного в осевом направлении и обращенного ко дну одним полюсом, образуется пара вихрей - вихревой диполь, вытянутый в направлении, перпендикулярном току. [11]
Через тонкую германиевую ленту толщиной d 0 l см проходит в продольном направлении ток / 1 а. Определить электрическое напряжение между краями ленты в направлении, перпендикулярном току: 1 / а - Г & где постоянная Холла для германии RW см3 / а-сек. [12]
Одним из важных свойств плазмы является возможность возникновения электромагнитных колебаний в широком диапазоне под влиянием движения, происходящего в самой плазме, или под влиянием электрического тока. При наличии внешнего магнитного поля плазма начинает перемещаться в направлении, перпендикулярном току, что позволяет, действуя электромагнитным полем, замкнуть движение плазмы по кругу. [13]
Магниторезисторы изготовляют из материалов с высокой чувствительностью к эффекту Гаусса. Поскольку эффект магнитосопротивления максимален в полупроводнике, не ограниченном в направлении, перпендикулярном току, то в реальных магниторезисторах стремятся максимально приблизиться к этому условию. Наилучшим моделированием неограниченного образца является диск Корбино. При отсутствии магнитного поля ток в таком образце направлен по радиусу. Отклонение носителей заряда под действием магнитного поля происходит в направлении, перпендикулярном радиусу, поэтому разделение носителей заряда и образования электрического поля Холла не происходит. Другой структурой, хотя и с меньшим магнитосопротивлением, чем в диске Корбино, является пластина, ширина которой много больше ее длины. Эти две структуры обладают наибольшим относительным изменением сопротивления в магнитном поле. Однако их существенным недосгатком является малое абсолютное значение исходного сопротивления R () ( при В 0), что обусловлено их конфигурацией. Этого недостатка лишена структура, где используется одна длинная пластина полупроводника, на поверхность которой нанесены металлические полоски, делящие пластину на области, длина которых меньше их ширины. Таким образом, каждая область между полосками представляет отдельный магниторезистор. Можно также считать, что металлические полоски выступают в роли шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, что приводит к увеличению магнитосопротивления. Вместо пластины с металлическими полосками для создания магниторезисторов можно использовать материал, в котором области с высокой электропроводностью созданы в процессе роста кристалла. [14]
Магниторезисторы изготовляют из материалов с высокой чувствительностью к эффекту Гаусса. Поскольку эффект магаитосопротивления максимален в полупроводнике, не ограниченном в направлении, перпендикулярном току, то в реальных магаиторезисторах стремятся максимально приблизиться к этому условию. Наилучшим моделированием неограниченного образца является диск Корбино. При отсутствии магнитного поля ток в таком образце направлен по радиусу. Отклонение носителей заряда под действием магнитного поля происходит в направлении, перпендикулярном радиусу, поэтому разделение носителей заряда и образования электрического поля Холла не происходит. Другой структурой, хотя и с меньшим магнитосопротивлением, чем в диске Корбино, является пластина, ширина которой много больше ее длины. Эти две структуры обладают наибольшим относительным изменением сопротивления в магнитном поле. Однако их существенным недостатком является малое абсолютное значение исходного сопротивления RO ( при В 0), что обусловлено их конфигурацией. Этого недостатка лишена структура, где используется одна длинная пластина полупроводника, на поверхность которой нанесены металлические полоски, делящие пластину на области, длина которых меньше их ширины. Таким образом, каждая область между полосками представляет отдельный магниторезистор. Можно также считать, что металлические полоски выступают в роли шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, что приводит к увеличению магнитосопротивления. Вместо пластины с металлическими полосками для создания магниторезисторов можно использовать материал, в котором области с высокой электропроводностью созданы в процессе роста кристалла. В этом случае отпадает необходимость в нанесении металлических полос. Магниторезисторы такого типа созданы на основе кристаллов InSb с добавкой 1 8 % NiSh. Включения NiSb образуют в кристалле InSb иглы с удельным сопротивлением почти на два порядка меньшим, чем удельное сопротивление самого кристалла. Магнитосопро-тивление такого материала не зависит от формы образца, необходимо лишь, чтобы направление игл было перпендикулярно направлениям оси и магнитного поля. [15]
Страницы: 1 2