Высокий ток

Cтраница 1

Высокий ток и отсутствие мощных транзисторов, необходимых для возбуждения магнитных элементов, первоначально представляли главную трудность конструирования. Большинство элементов характеризуется высоким уровнем тока возбуждения, что приводило к трудностям даже при использовании электронных ламп. Применение в вычислительных машинах элементов, в которых используются физические свойства твердого тела, сделало желательным использование транзисторов в устройствах хранения информации. Однако затруднения, вызванные большими величинами токов, и в особенности требованиями к величине обратного напряжения, усложняли расчет, пока не были получены транзисторы соответствующей мощности и напряжения. Эта задача, связанная с управлением или возбуждением, решалась различными конструкторами по-разному. Часто применявшийся конструкторами прием получения достаточной мощности для возбуждения состоял в использовании параллельно включаемых транзисторов. [1]

К. п. д. плазмотрона с вынесенной дугой ( длина дуги 4 см, диаметр сопла 0 6 см, его длина 1 подача газа тангенциальная. [2]

При высоких токах дуги ( область / /, рис. 20, а) основную роль начинают играть процессы перегрева ( испарения) материала. [3]

При более высоких токах - в тысячи ампер - необходимое сечение проводника становится настолько большим, что его приходится подразделять на части, включая параллельно два и более проводников. [4]

Зависимость интенсивности аналитических линий от скорости сканирования электрода. [5]

При более высоких токах ( 20 и 30 А, кривые 2, 3) на зависимостях появляются максимумы, соответствующие оптималь-лой скорости, которые сдвигаются в сторону больших v при возрастании силы тока. Дальнейшее увеличение тока до 50 А ( кривая 4) сопровождается изменением полученной зависимости, что связано с возрастанием уровня непрерывного фона. [6]

Область безискровой ком - [ IMAGE ] - 51. Область безнскровой ра-мутации механически неисправной боты с сильно искривленной сред-машивы. ней линией. [7]

При более высоких токах нагрузки оба предела безискровой коммутации получаются при токе дополнительного питания одного и того же направления; следовательно, безискровая коммутация без дополнительного питания дальше становится уже невозможной. [8]

При более высоких токах эмиттера возникают противодействующие явления. [9]

Электролит 2 обеспечивает более высокие токи интегрирования, чем электролит 1, благодаря тому что растворимость борфтористоводородной соли меди и коэффициент диффузии ионов меди в борфтористоводородных электролитах много выше, чем в сульфатных. Концентрация же свободных ионов фтора Р - в борфтористоводородных электролитах исчезающе мала, поэтому в качестве конструкционных материалов при построении медных счетчиков могут использоваться стекло и другие кремнийсо-держащие материалы. [10]

Электрохимические системы с высоким током обмена наиболее удобны для применения в потенциометрическом анализе. [11]

Медный электрод характеризуется высоким током обмена и поэтому электрохимическая поляризация при рафинировании меди невелика. Более заметную роль при электролизе играет концентрационная поляризация, возникающая за счет уменьшения концентрации CuSO4 у катода и увеличения у анода по сравнению со средней концентрацией в объеме, однако, и она при применяющихся плотностях тока и наличии циркуляции раствора не имееъ большого значения. Поэтому, как анод, так и катод работают при потенциалах, ненамного отличающихся от равновесных. В производственных условиях потенциал катода не бывает ниже 0 2 В, а потенциал анода - выше 0 5 В. [12]

Зависимость выходной мощности умножителя от потенциала и тока пучка. [13]

Низкие потенциалы при высоких токах пучков, формируемых рассматриваемыми пушками, являются предпосылками для разработки широкого класса низковольтных приборов СВЧ различного назначения. [14]

Иннершилд происходит на высоком токе ( 230 - 300 А) и сопровождается достаточно большим разбрызгиванием. При этом капли имеют высокую температуру. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5