Канальный ток
Cтраница 1
 |
Канал проводимости. [1] |
Канальный ток обусловливает падение напряжения вдоль канала, поэтому разность потенциалов между инверсионным слоем и объемом полупроводника уменьшается по мере удаления от основного р-л-перехода. [2]
Канальный ток транзистора определяется также подвижностью носителей. За счет большей подвижности электронов по сравнению с дырками транзисторы с n - каналом характеризуются, как правило, более высокой крутизной проходных характеристик. С увеличением поперечного электрического поля начинает проявляться и механизм изменения крутизны характеристики транзистора, связанный с изменением подвижности носителей в канале. [3]
Поверхностные утечки обратного тока обусловлены омическим шунтированием p - n - перехода на поверхности и появлением канальных токов. Ток поверхностной утечки часто является основной составляющей обратного тока через переход. [4]
Остаточный ток стока в закрытом транзисторе складывается из тока утечки через полуизолирующую подложку, а также предпорогового канального тока. Существование последнего обусловлено тем, что при достижении затворным напряжением порогового значения канал исчезает не скачкообразно, а постепенно. [5]
 |
Динамическая характернсти-ка a - Si-ТПТ ( т - продолжительность импульса, нс. [6] |
При исследовании динамических характеристик a - Si-ТПТ показано [20], что сразу же после подачи пульсирующего напряжения на затвор через транзистор протекает большой канальный ток, который постепенно снижается до статического значения. Эта характеристика изучалась путем измерения составляющей постоянного ток IDC канального тока с периодом Т и продолжительностью импульса TW, на основании которых рассчитывался неустановившийся ток Imean ( Улс T / TW) Результаты исследования для ТПТ со статической подвижностью 0 01 см2 / ( В с) показаны на рис. 6.1.9. Максимальный неустановившийся ток был примерно в 100 раз больше статического. Считается, что это обусловлено электронами, инжектированными в слой a - Si, где они находятся в высоко подвижных делокализованных состояниях до тех пор, пока не будут захвачены состояниями в запрещенной зоне. На основании этих динамических характеристик ожидается, что скорость переключения ТПТ будет выше, чем рассчитанная из статических показателей. Однако этот новый эффект возможен только тогда, когда время переключения и время пролета носителей меньше времени жизни. [7]
 |
Динамическая характернсти-ка a - Si-ТПТ ( т - продолжительность импульса, не. [8] |
При исследовании динамических характеристик a - Si-ТПТ показано [20], что сразу же после подачи пульсирующего напряжения на затвор через транзистор протекает большой канальный ток, который постепенно снижается до статического значения. [9]
Здесь l Kj - среднее значение теплового тока коллекторного перехода; тк - коэффициент, при помощи которого учитывается влияние тока рекомбинации и канального тока коллекторного перехода; г к - объемное сопротивление коллекторного слоя. [11]
Здесь а / и Р / - инверсные коэффициенты передачи токов коллектора и базы соответственно; Г3т - среднее значение теплового тока эмиттерного перехода; / пэ - коэффициент, при помощи которого приближенно учитывается влияние тока рекомбинации и канального тока для эмиттерного перехода. [12]
В Лаборатории электромоделирования ВИНИТИ АН СССР разработаны логические элементы на ферритовых сердечниках и диодах; в основу их положен принцип коммутации продвигающих токов. Управление импульсами канальных токов в элементах осуществляется путем запирания диодов выходными напряжениями, наводимыми на обмотках леремагничивающихся сердечников. Такой принцип управления токами имеет ряд технических преимуществ по сравнению с другими способами построения элементов на ферритовых сердечниках и отличается широкими логическими возможностями. На его основе оказалось возможным разработать унифицированные элементы, позволяющие реализовать всевозможные логические функции двух и трех аргументов. [13]
В области 3 ток стока складывается из канального тока и тока смыкания ( / СМк) - Последний в отличие от канального тока протекает на некотором удалении от поверхности. Затвор сохраняет управление током смыкания, т.е. транзистор с коротким каналом на участке 3 работоспособен. Однако его крутизна d / c / df / зи уменьшается. [14]
При исследовании динамических характеристик a - Si-ТПТ показано [20], что сразу же после подачи пульсирующего напряжения на затвор через транзистор протекает большой канальный ток, который постепенно снижается до статического значения. Эта характеристика изучалась путем измерения составляющей постоянного ток IDC канального тока с периодом Т и продолжительностью импульса TW, на основании которых рассчитывался неустановившийся ток Imean ( Улс T / TW) Результаты исследования для ТПТ со статической подвижностью 0 01 см2 / ( В с) показаны на рис. 6.1.9. Максимальный неустановившийся ток был примерно в 100 раз больше статического. Считается, что это обусловлено электронами, инжектированными в слой a - Si, где они находятся в высоко подвижных делокализованных состояниях до тех пор, пока не будут захвачены состояниями в запрещенной зоне. На основании этих динамических характеристик ожидается, что скорость переключения ТПТ будет выше, чем рассчитанная из статических показателей. Однако этот новый эффект возможен только тогда, когда время переключения и время пролета носителей меньше времени жизни. [15]
Страницы: 1 2