Cтраница 3
При возникновении на поверхности полупроводников инверсионных слоев возможно образование каналов. Длина канала зависит от величины обратного напряжения, приложенного к р-п-переходу. Если расстояние между p - n - переходом и омическим переходом невелико, то при больших напряжениях канал достигает омического контакта и шунтирует p - n - переход. Это ведет к возникновению значительных токов утечки. [31]
Слой р-типа образуется в кристалле полупроводника в результате термодиффузии акцепторных примесей ( например, индия или алюминия в германий л-ти-па) с конца металлической иглы, возникающей под воздействием больших импульсов тока, пропускаемых через контакт. Линейные размеры перехода точечного диода соизмеримы с толщиной его обедненной области. Площадь контакта менее 50 мкм2, поэтому емкость перехода мала, а прямые токи через переход не превышают десятков миллиампер. Область р-типа под контактом геометрически неоднородна, и обычно в ней сосредоточено наибольшее количество дефектов кристаллической структуры. Сильное электрическое поле в области контакта способствует появлению значительных токов утечки и генерации. [32]