Инжектируемый ток
Cтраница 1
 |
Модель идеализированного транзистора, включенного по схеме ОБ ( я и его входные ( б и выходные ( в характеристики. [1] |
Инжектируемый ток в любом из переходов можно представить, используя зависимость ( 10 - 52) тока от напряжения на электронно-дырочном переходе при условии короткого замыкания цепи другого перехода. [2]
 |
Элемент И-НЕ типа И2Л.| Зависимость между временем задержки и инжектируемым током.| Элемент ИЛИ-ИЛИ-НЕ типа ЭСЛ. [3] |
Инжектируемый ток /, может изменяться в широких пределах применительно к различным потребностям. [4]
 |
Схемы ЗИЛИ-НЕ на ИС с инжекционным питанием. [5] |
Помехоустойчивость схем с инжекцион-ным питанием оценивается по току, поскольку энергия переключения зависит от инжектируемого тока, а напряжение на переходах при переключении изменяется весьма незначительно. Инжектируемый ток при переключении изменяется на несколько порядков. Из всех известных вариантов схем схемы с инжекционным питанием являются самыми маломощными. Мощность потребления этих схем может изменяться в широких пределах путем изменения тока инжектора. Уровень потребляемой мощности выбирается в зависимости от требований, предъявляемых к быстродействию и помехоустойчивости схем. [6]
Для выполнения близкой к квадратичной зависимости скорости отжига Е ( 0 45) от плотности инжектируемого тока необходим захват двух электронов в кремнии р-типа и двух дырок в кремнии и-типа. [7]
Помехоустойчивость схем с инжекцион-ным питанием оценивается по току, поскольку энергия переключения зависит от инжектируемого тока, а напряжение на переходах при переключении изменяется весьма незначительно. Инжектируемый ток при переключении изменяется на несколько порядков. Из всех известных вариантов схем схемы с инжекционным питанием являются самыми маломощными. Мощность потребления этих схем может изменяться в широких пределах путем изменения тока инжектора. Уровень потребляемой мощности выбирается в зависимости от требований, предъявляемых к быстродействию и помехоустойчивости схем. [8]
Параллельно нейтральная компонента будет уходить ш рабочего объема, внедряясь в стенки камеры, в виде нейтральных горячих атомов водорода. Должно начаться выгорание остаточного газа. Если в рассмотренном ранее режиме нейтральный газ поступал в основном за счет нейтрализации молекулярных ионов на инжекторе, то критическое значение инжектируемого тока, при котором должен прекратиться процесс накопления, отвечает условию, когда длина диссоциации на атомарных ионах сравняется с длиной пробега до инжектора. Иными словами, при этом поступление нейтралов будет практически отсутствовать ( десорбция со стенок мала. [9]
Рассчитать Величину тока включения и параметры, влияющие на скорость переключения прибора, значительно сложнее. Ток ( включения определяется плотностью тока, при которой сумма коэффициентов усиления для случая низкого напряжения достигает единицы. Таким образам, величина тока 1 зависит от площади переходов, толщины областей прибора с разными типами проводимости, от первоначального значения времени существования носителей и изменения этого времени в функции плотности инжектируемого тока. Влияние процессов рекомбинации на величину тока включения недостаточно ясно для проведения точного анализа, но этот ток можно получить в требуемых пределах на основе экспериментальных данных. [10]
Объясним физический смысл параметров схемы Притчарда, кратко описав процессы, происходящие в транзисторе. Для примера рассмотрим схему рис. 2.14 а, в которой транзистор типа р-п - р включен по схеме с общей базой. Здесь источники постоянного тока обеспечивают требуемые для нормальной работы прибора напряжения Еэ и Ек на эмиттере и коллекторе. При этом эмиттер имеет смещение в прямом направлении, а р-п-переход коллектора - в обратном направлении. За счет диффузии ( или дрейфа) основная доля этих носителей переносится через малую толщину W базы и, достигая коллекторного перехода, экстрагируется его полем, а затем достигает внешнего зажима к коллектора. Поскольку толщина W активной области базы мала, то лишь незначительная доля эмиттерного тока ответвляется к внешнему выводу б базы. В связи с этим постоянный ток / ко коллектора практически равен постоянному току / эо эмиттера ( 7ко - / эо) и при этом постоянный ток базы / бо / эп - / ко - С / эо оказывается много меньше инжектируемого тока / эо эмиттера. [11]
Другим типом генераторов на виртуальном катоде являются вир-каторы на пролетном токе, которые отличаются от отражательных триодов с виртуальным катодом тем, что отрицательный потенциал подается на катод, а анод, дрейфовая камера и коллектор находятся под одним потенциалом, обычно потенциалом Земли. На рис. 6.3 б показана принципиальная схема такого виркатора. Электроны ускоряются в промежутке катод анод и через анодную фольгу или сетку, прозрачные для высокоэнергетических электронов, попадают в дрейфовое пространство. Если ток инжектируемых электронов выше предельного тока для данной геометрии, то часть электронов тормозится собственным полем потока и отражается в сторону анода, другая часть электронного потока продолжает свое движение, пока не достигнет коллектора или стенок камеры. Таким образом, в виркаторе на пролетном токе из области виртуального катода в стационарном состоянии испускаются электроны и в прямом и в обратном направлениях. Отраженные электроны, как и в случае триода с виртуальным катодом, образуют поток осциллирующих электронов. Положение виртуального катода и степень деления тока на отраженный и проходящий через виртуальный катод, определяются величиной приложенного напряжения, а также геометрией диода и дрейфового пространства. При увеличении инжектируемого тока виртуальный катод приближается к аноду. [12]
Страницы: 1