Малый ток
Cтраница 3
 |
Схема измерения малых постоянных токов методом изменения емкости запорного слоя р-п-перехода. [31] |
Измерение малых токов и зарн-дов. [32]
 |
Внешний вид ( а и принципиальная схема ( б прибора. [33] |
Измерение малых токов в пределах 0 - 10 - 250 мА производится с помощью встроенного в прибор трансформатора тока, ток которого выпрямляется также по однополупериодной схеме. [34]
 |
Упрощенная конструктивная схема маломощного контактного устройства.| Форма контактных поверх - [ IMAGE ] Зависимость переходного со. [35] |
Для малых токов ( не выше 2 - 3 а) применяется точечная форма, для более сильных токов - обычно плоскостная или линейная. [36]
Для средних и малых токов остается рассмотреть два ограничивающих фактора ( области табл. 6.3, ограниченные рамкой) - снижение усиления и тепло. За максимальный импульсный ток в этом случае должно быть принято меньшее из двух его значений, определяемое по заданному снижению коэффициента усиления или по прекращению нагрева транзистора. [37]
При малых токах и соответственно при малых напряжениях не светодиоде излучения принципиально быть не должно вплоть до напряжения на светодиоде, численно равного энергии излучаемого кванта света. Поэтому начальный участок яркостной характеристики нелинеен. [38]
При малых токах ( меньше порогового) излучение, возникающее в основном из-за самопроизвольной рекомбинации, является некогерентным. При больших токах ( больше порогового) интенсивность излучения значительно больше, так как излучение получается когерентным и строго направленным. [40]
При малых токах / св напряжение U0 c также мало, С / вж. UK растет, что и приводит к уменьшению выпрямленного напряжения Us тем сильнее, чем больше ток / св. [41]
При малых токах, близких к току срабатывания, вибрацию следует устранять регулировкой самих контактов, а при больших токах, когда якорь удерживается упором - регулировкой положения подвижной системы. [42]
При малых токах большая часть инжектированных эмиттером носителей заряда рекомбинирует внутри р - гс-перехода и лишь небольшая их доля достигает базы. Коэффициент инжекции, представляющий собой отношение тока инжектированных из эмиттера в базу носителей к общему току, текущему через переходы, оказывается очень малым. [43]
При малых токах магнитное давление невелико, но при токах в сотни тысяч и миллионы ампер давление становится столь большим, что разряд полностью отрывается от стенок и плазма оказывается хорошо изолированной от стенок. [44]
При малом токе и недостаточном времени сварки не образуется литого ядра и сварка получается некачественной. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5