Малый ток - утечка
Cтраница 1
 |
Элемент схемы L, С, К. [1] |
Малый ток утечки через емкость С dx вы ывает в индуктивности Ldx падение напряжения малости второго порядка, поэтому нет надобности применять Т - образную или П - образную схему элемента, как это делается при конечных элементах искусственной линии, и Г - образная схема звена при бесконечно малых элементах вполне приемлема. Некоторых пояснений требует емкость К. Полная емкость ( между витками) на всем витке равна ЕуДд: у / в, где / в-длина витка, а у - междувитковая емкость на единицу длины витка. [2]
Большое сопротивление обеспечивает малые токи утечки и большой накопленный заряд. Диэлектрические покрытия должны быть однородными по толщине, обладать хорошей оптической прозрачностью, не иметь сквозных пор и механических дефектов. [3]
 |
Диодная сборка. [4] |
Основными достоинствами ее являются малый ток утечки, малая емкость перехода, малое время восстановления и отсутствие влияния паразитного р-п - р транзистора. [5]
В активных приборах изоляция должна обеспечивать малые токи утечки и низкий tg 6; в криогенных приборах, кроме того, необходимо сохранение этих свойств в широком интервале температур от комнатной до температуры жидкого гелия. Изоляция соединений должна обладать малой емкостью с тем, чтобы уменьшить паразитные емкости. [6]
Использование в модуляторе канальных транзисторов с малыми токами утечки в режиме отсечки позволяет в ряде случаев не учитывать эту погрешность. [7]
 |
Схемы выходных каскадов кадровой развертки. [8] |
Транзисторы задающего каскада кадровой развертки должны иметь малый ток утечки / ко. Кремниевые транзисторы имеют меньшее значение / ко по сравнению с германиевыми, но они пока не нашли широ - кого применения ввиду высокой стоимости. [9]
 |
Схема суммирующего интегратора. [10] |
Конденсаторы, используемые в интеграторах, должны иметь малые токи утечки, так как последние влияют на точность интегрирования. [11]
Схемы УВХ состоят из интегратора с высокоомной нагрузкой и малыми токами утечки и ключевых схем и могут быть построены с помощью нескольких инструментальных ОУ. Микросхема КР1100СК2 содержит два ОУ с высоким входным сопротивлением ( более 10 мОм), ключевую схему управления, обеспечивающую токовое управление ключами. [12]
Для получения высоковольтных структур типа р-п - р с малыми токами утечки предлагается окружать коллекторный переход таких структур кольцевой сильнолегированной ( р) дырочной областью, ограничивающей распространение каналов ( см. ниже) в область коллектора. [13]
Схемы УВХ состоят из интегратора с высокоомной нагрузкой и малыми токами утечки и ключевых схем и могут быть построены с помощью нескольких инструментальных ОУ. Микросхема КР1100СК2 содержит два ОУ с высоким входным сопротивлением ( более 10 мОм), ключевую схему управления, обеспечивающую токовое управление ключами. [14]
 |
Электролитический конденсатор. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5