Поверхностный ток - утечка
Cтраница 2
Зажим Э ( экран) предназначен для устранения влияния поверхностных токов утечки при измерении сопротивления изоляции высоковольтного оборудования и при работах во вторичных цепях не используется. При обычных измерениях в современных вторичных цепях соблюдение полярности мегомметра не обязательно. [16]
В случае, когда результат измерения может быть искажен поверхностными токами утечки, на изоляцию объекта измерения накладывают электрод, присоединяемый к зажиму Э ( экран) для исключения возможности прохождения токов утечки через рамку логометра, используемого в приборах в качестве измерительного органа. При измерении сопротивления изоляции между жилами кабеля таким экраном может служить металлическая оболочка кабеля. [18]
 |
Зависимость надежности от цикличности работы РЭА. ( Л ц-параметр потока отказов в циклическом режиме, Лн-параметр потока отказов в непрерывном режиме, / - число включений за 1 ч работы. [19] |
Так, на поверхности диэлектриков могут накапливаться электрические заряды, появляются поверхностные токи утечки. [20]
Если испытуемый кабель имеет сухие концевые разделки, то для выделения поверхностных токов утечки, проходящих по жилам разделки, необходимо на концы жил наложить охранные кольца. Последние представляют собой полоски шириной 10 мм, выполненные из металлической фольги или гибкого медного провода. [21]
Результат измерения сопротивления изоляции мегаомметром М4100 / 5 может быть искажен поверхностными токами утечки объекта измерения. [22]
 |
Схема измерения поверхностных токов утечки концевых разделок силовых кабелей. [23] |
Если количество испытуемых кабелей составляет два и более, то для измерения поверхностных токов утечки концевых разделок может быть использована перевернутая схема. При этом охранное кольцо, наложенное на жилу концевой разделки, расположенной вблизи испытательной установки, соединяется непосредственно с экраном схемы. [24]
Тщательная защита коллекторного перехода от внешних воздействий пленкой окисла обеспечивает почти полное отсутствие поверхностных токов утечки. В этих условиях обратный ток коллекторного перехода определяется только термогенерацией носителей заряда в объеме полупроводника и величина его оказывается исключительно малой, составляя тысячные доли микроампера. Этим пленарный и планарно-эпитаксиальный транзисторы выгодно отличаются от других типов транзисторов, так же как малым разбросом и стабильностью параметров. [25]
 |
Схемы включения прибора М4100 / 5. [26] |
Когда результат измерения сопротивления изоляции объекта мегаоммегром типа М4100 / 5 может быть искажен поверхностными токами утечки, принимают меры, исключающие попадание поверхностных токов в рабочую рамку логометра. [27]
 |
Схемы включения прибора М4100 / 5. [28] |
Когда результат измерения сопротивления изоляции объекта мегаомметром типа М4100 / 5 может быть искажен поверхностными токами утечки, принимают меры, исключающие попадание поверхностных токов в рабочую рамку логометра. [29]
 |
Схемы измерения сопротивления изоляции. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5