Термоэлектронный ток

Cтраница 2

Из формулы (2.1) следует, что для получения термоэлектронного тока, достаточного для практического использования, необходимо изготовлять катоды из материалов, обладающих малой работой выхода, или из материалов, которые можно использовать при высоких температурах. Поэтому при выборе материалов для катодов необходимо учитывать оба эти фактора. [16]

Уже в первом десятилетии нашего века для получения термоэлектронных токов при сравнительно низких температурах начали применять окислы щелочноземельных металлов - сначала окись кальция, а в последнее время смесь окиси бария с окисью стронция, в которой имеется избыток металлических бария и стронция. Работа выхода такого полупроводникового излучателя не превышает 0.6 эл. Избыток атомов бария сообщает окиси электронный характер проводимости, как показал Н. Д. Моргулис, определив знак термоэлектродвижущей силы. С увеличением избытка бария растет и термоэлектронная эмиссия. [17]

На практике, если ф не очень мало, измеримые термоэлектронные токи получают только при высоких температурах. [18]

Управляющее действие сетки. [19]

Рассмотрим подробнее, от чего и как зависит сила термоэлектронного тока в трехэлектродной лампе. [20]

Электрическое поле внутри триода ( схематически. [21]

Рассмотрим подробнее, от чего и как зависит сила термоэлектронного тока в трех-электродной лампе. [22]

Электрическое поле только из анода А, но и из проволок внутри триода ( схематически, сетки С. Поэтому электрическое поле. [23]

Рассмотрим подробнее, от чего и как зависит сила термоэлектронного тока в трехэлектродной лампе. [24]

Чтобы избавиться в известной мере от помех, которые вызываются термоэлектронным током, как, впрочем, и от помех токов утечки, фотоэлементы изготавливаются иногда в виде так называемых электронно-оптических преобразователей. От темнового тока в настоящее время освобождаются применением усилителей переменного тока. С этой целью световые пучки, действующие на фотоэлементы, модулируют с помощью какого-либо прерывателя. [25]

При термоэлектронной эмиссии электроны, испускаемые поверхностью нагретого металла, создают термоэлектронный ток. Вели - чина этого тока зависит от размеров, температуры и работы выхода эмиттера. [26]

В W-дугах при высокой температуре катода Г4500 - 5000 К вероятен термоэлектронный ток, измененный при Е106 в / см эффектом Шоттки. Наличие полупроводниковых пленок на тори-рованном или лантанированном вольфраме может сильно снижать работу выхода и увеличивать эффект Шоттки при меньших температурах катода. [27]

Поэтому можно поставить вопрос о замене высокотемпературной части термобатареи пустотой, где термоэлектронный ток создается между более горячим и более холодным электродами. Современные эмиттеры дают мощные токи уже при температурах порядка 600 С, а объемный заряд может быть ослаблен. [28]

В случае термоэлектронной эмиссии с полупроводников, содержащих атомы примеси, сила термоэлектронного тока также очень быстро возрастает с температурой и выражается той же формулой ( 1 7) ( см. напр. [29]

Термоэмиссионные параметры металлов.| Форма потенциального барьера металл - вакуум с учетом эффекта Шоттки. [30]

Страницы: 1 2 3 4