Cтраница 1
Полный ток через замкнутую поверхность равен уменьшению заряда внутри этой поверхности. Он наверняка не может быть всегда равен нулю, так как мы знаем, что заряды могут перемещаться из одного места в другое. [1]
Полный ток через общий коллекторный переход П2 будет обусловлен токами первого и второго эмиттеров, а также током утечки коллекторного перехода. [2]
Полный ток j в стационарном режиме во всех сечениях одинаков. [3]
Полный ток в коллекторной цепи равен сумме токов намагничивания и приведенного тока нагрузки. [4]
Полный ток - сумма ( геометрическая) активной составляющей, обеспечивающей активную работу, и реактивной составляющей, которая используется для намагничивания индуктивных приемников переменного тока. [5]
Полные токи и фазные напряжения определяются суммированием найденных симметричных составляющих. [6]
Полный ток через электрод не зависит от того, каким способом мы разбивали его на фарадеевскую и двойнослойную компоненты. [7]
Полный ток в любом сечении электронного потока в пространстве между катодом и сеткой представляет собой сумму токов проводимости и смещения. Однако при ограничении тока объемным зарядом, что является условием нормальной работы катода, поле у катода равно нулю, следовательно, ток смещения также равен нулю, а полный ток должен поставляться у катода только перемещением электронов. [8]
Полный ток может возникнуть как в проводящей, так и в непроводящей средах. [9]
Полный ток в условиях установившегося режима может быть либо током проводимости, либо током переноса; в условиях переходного режима каждый из них может существовать совместно с током смещения. [10]
Полный ток, протекающий через соединение полупроводников п - и р-типа, состоит из электронов и дырок. Удельная проводимость пир сторон определяет, будет ли преобладать электронный или дырочный ток. Удельная проводимость зависит от концентрации и подвижности электронов и дырок. Подвижность, в свою очередь, зависит от эффективных масс электронов и дырок, а эффективные массы зависят от зонной структуры полупроводника, о которой идет речь. Концентрации электронов и дырок могут быть определены из статистики Ферми-Дирака. Скорость, с которой диод с р-гс-переходом может перейти из состояния запирания в состояние проводимости, зависит, главным образом, от времени, в течение которого дырка существует в полупроводнике я-типа, прежде чем она рекомбинирует с электроном. [11]
Полный ток через эмиттерный переход содержит как дырочную, так и электронную составляющую. Электроны, поступающие из базы в эмиттер, участвуют в создании общего эмиттерного тока гэ, но не приводят к появлению дополнительного тока в цепи коллектора. [12]
Полный ток через переход равен разности диффузионного и теплового токов, поскольку они направлены в разные стороны. Тепловой ток образуется неосновными носителями заряда, при этом электрическое поле перехода способствует их перемещению в соседнюю область. Практически все неосновные носители, подходящие к р-п-переходу, перемещаются в соседнюю область. Поэтому тепловой ток зависит от концентрации неосновных носителей в п - и р-области и не зависит от напряжения, приложенного к р-п-переходу. [13]
Полный ток через переход равен разности диффузионного и теплового токов, поскольку они направлены в разные стороны. Практически все неосновные носители, подходящие к p - n - переходу, перемещаются в соседнюю область. Поэтому тепловой ток зависит от концентрации неосновных носителей в п -, р-областях и не зависит от напряжения, приложенного к р-м-переходу. [14]
Полный ток 18 1 амперам; полное сопротивление-27 2 ом; полная мощность - 1780 ватт; добавочное сопротивление к 8-вольтовой лампе равняется 35 4 омам. [15]