Полный ток - коллектор
Cтраница 2
Однако известно, что Vc находится где-то между 0 и - 0 8 в ( например, - 0 4 в), так что полный ток коллектора должен быть равен - 10 ма. В этой точке, согласно фиг. Приведенные выше соотношения при RL 2 ком, V - 20 в дают / база - 0 2 ма, / д, 0 72 ма. [16]
Сравнивая (5.26) с (5.18), получаем, что / / э, так как 6 / а 677, и поэтому можно считать, что полный ток коллектора практически равен дырочному току / рк. [17]
 |
Вольт-амперная характеристика идеализированного плоскостного диода.| Прямая ветвь характеристики идеализированного диода. [18] |
Источники тока на схемах рис. 1 - 6 указывают на независимость составляющей а / кд полного тока эмиттера / э от напряжения на эмиттерном переходе и составляющей ад / эд полного тока коллектора / К от напряжения на коллекторном переходе. [19]
Так как ток / ок включает в себя и неуправляемый тепловой ток / ко, то, очевидно, чем больший удельный вес в полном токе коллектора имеет составляющая / 1.0, тем большим изменениям подвержен полный ток коллектора. Поэтому для повышения стабильности желательно работать при больших значениях тока / ОК1 когда доля тока / ко в нем мала. [20]
Ток коллектора / ко включагт в себя и неуправляемый тепловой ток / 0, поэтому чем большую долю в токе коллектора имеет составляющая / 0, являющаяся переменной величиной по характеру своего образования, тем большим изменениям подвержен полный ток коллектора / к рабочего режима. [21]
Ток коллектора / ко - включает в себя и неуправляемый тепловой ток / ко - Поэтому, чем большую долю в токе коллектора / ко имеет составляющая / ко, являющаяся переменной величиной по характеру своего образования, тем большим изменениям подвержен полный ток коллектора / к рабочего режима. Следовательно, для повышения стабилньости желательно работать при больших значениях тока / ко, когда доля тока / ко в нем мала. [22]
В этой сумме только первый ток является полезным, поскольку он влияет на ток коллектора, два остальных тока являются вредными, и их стремятся уменьшить. Движение электронов, инжектированных в базу, сопровождается рекомбинацией части электронов, поэтому ток / кп электронов, подходящих к коллекторному переходу, меньше тока / э на величину / Брек, называемую током рекомбинации в базе, который необходимо уменьшать. Если напряжение на коллекторном переходе значительно меньше напряжения лавинного пробоя и ударная ионизация ( см. § 2.5) отсутствует, то полный ток коллектора / к / кп / КБО, где / КБО - обратный ток коллекторного перехода, не зависящий от тока эмиттера. Как и для одиночного перехода ( см. § 2.5), обратный ток / КБО состоит из токов термогенерации, теплового и утечки. [23]
На статические характеристики транзистора сильно влияет повышение температуры переходов, которое может быть вызвано повышением температуры окружающей среды, а также внутренним нагревом, обусловленным протеканием токов через транзистор. С повышением температуры переходов в германиевых трайзисто-рах увеличивается обратный ток коллектора. В большей степени повышение температуры сказывается при включении транзистора по схеме ОЭ, вследствие большей величины тока / K3c - Увеличение обратного тока коллектора приводит к возрастанию полного тока коллектора [ см. формулы (4.17) и ( 4.12 а) ] и к смещению всего семейства выходных характеристик в область больших токов. [24]
Отличие входных характеристик для схемы ОБ состоит в том, что с повышением напряжения икб характеристики смещаются влево. На статические характеристики транзистора сильно влияет повышение температуры переходов, которое может быть вызвано повышением температуры окружающей среды, а также внутренним нагревом, обусловленным протеканием токов через транзистор. В большей степени повышение температуры сказывается при включении транзистора по схеме ОЭ вследствие большей величины обратного тока / ко - Увеличение обратного тока коллектора приводит к возрастанию полного тока коллектора [ см. формулы (4.7) и (4.11) ] и к смещению всего семейства характеристик в область больших токов. [25]
Страницы: 1 2