Cтраница 2
При последовательном включении транзисторов для равномерного распределения мощности на транзисторах небходимо вырав-нять их коллекторные напряжения ик, так как выходные токи транзисторов одинаковы. Напряжение на коллекторах транзисторов должны быть одинаковыми как в рабочий, так и в нерабочий периоды, а также при наличии и отсутствии сигнала на входе усилителя. [16]
Таким образом, длительность фронта напряжения, управляющего яркостью, определяется не только временем заряда емкостей, включен-4 ных параллельно сопротивлению нагрузки, но и задержками выходного тока транзистора. [17]
![]() |
Зависимость / г-параметров. [18] |
Сущность термостабилизации заключается в том, что в схему вводят отрицательную обратную связь по постоянному току ( последовательную) или по напряжению ( параллельную), которая вызывает изменение выходного тока транзистора, обратное по знаку изменению тока, вызванного изменением температуры. [19]
На рис. 1.8 а показано, как нелинейность входной характеристики транзистора при подведении к его ( входной щели синусоидального напряжения ывх приводит к нелинейным искажениям формы входного тока; а так как выходной ток транзистора в первом приближении пропорционален входному току, то нелинейные искаже-ния последнего передаются в выходную цепь. [20]
На рис. 1.9 а показано, как нелинейность входной характеристики биполярного транзистора при подведении к его входной цепи синусоидального напряжения ив приводит к нелинейным искажениям формы входного тока, а так как выходной ток транзистора в первом приближении пропорционален входному току, то нелинейные искажения последнего передаются в выходную цепь. [21]
При расчете коэффициента усиления по току необходимо учитывать, что из-за шунтирующего действия сопротивления Re только часть входного тока попадает во входную цепь транзистора и из-за шунтирующего действия сопротивления RK только часть выходного тока транзистора проходит через нагрузку. [22]
Гальваническая связь обусловливает две основные особенности усилителей постоянного тока, которые должны учитываться при их проектировании: 1) необходимость согласования потенциальных уровней источника сигнала и входа усилителя; 2) медленное самопроизвольное изменение выходного тока транзистора ( дрейф), которое может быть воспринято как изменение сигнала. [23]
![]() |
Принципиальная схема установки для измерения динамических параметров транзисторов. [24] |
Параметры транзистора обычно измеряются на частоте 1000 гц. Выходной ток транзистора определяется падением напряжения на сопротивлении Ли, величина которого для маломощных транзисторов обычно составляет 100 ом, а для мощных - 2 ом. [25]
Поскольку ( 3 1, влияние температуры на выходные характеристики транзистора, работающего в схеме 03, оказывается более сильным, чем в схеме ОБ. Сильное температурное воздействие на выходной ток транзистора в схеме ОЭ ведет к необходимости применять специальные схемы температурной стабилизации, которые рассматриваются в курсе электронных усилителей. [26]
Рабочая область семейства выходных статических характеристик транзистора на рис. 2 31, б расположена в третьем квадранте, что неудобно. Поэтому в транзисторной электронике за положительное направление выходного тока транзистора принимают направление обратного тока коллекторного перехода, а ось - f / Kg совмещают с положительной осью абсцисс. [27]
Напряжения база - эмиттер и затвор - исток, управляющие выходным током транзистора, равны разности входного и выходного напряжений. Эмиттер-ный повторитель обладает более низким выходным сопротивлением, чем исто новый, и его коэф. [28]
![]() |
Схемы управляемых делителей замкнутого типа. [29] |
УС и усилитель У, включенный в цепь отрицаг тельной обратной связи, осуществляемой с выхода УС на управт ляющий вход ( входы) ЭУЭ. При использовании полевых транзисторов ЭУЭ должен содержать операционный усилитель для преобразования выходного тока транзистора в напряжение. [30]