Отрицательный ток - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Есть что вспомнить, да нечего детям рассказать... Законы Мерфи (еще...)

Отрицательный ток

Cтраница 2


При форсированном запирании отрицательным током базы от внешнего источника возможен пробой одного или обоих эмиттерных переходов. Во избежание этого переходы шунтируют диодами ( на рисунке не показаны), включенными встречно-параллельно эмиттерным переходам.  [16]

С увеличением положительного или отрицательного тока в кадровых катушках указанное равновесие нарушается: в одном из крайних кернов магнитное поле усиливается и наступает режим насыщения, а в другом оно ослабляется.  [17]

Что происходит при подаче отрицательного тока на управляющий электрод стандартного тиристора.  [18]

19 Вольт-амперная харак. [19]

Для наглядности рисунка масштабы положительных и отрицательных токов взяты различными.  [20]

При этом оказалось, что отрицательный ток с дерева был пренебрежимо мал по сравнению с положительным.  [21]

Характеристики распространяются и в область отрицательных токов нагрузки, что соответствует генераторному режиму работы ( рекуперация); двигатель при этом развивает тормозное усилие В.  [22]

Если кривая ускоряющего напряжения симметрична относительно положительных и отрицательных токов ( см. фиг. Иное положение имеет место при несимметричных кривых ускоряющего напряжения ( см. фиг.  [23]

24 Семейства характеристик триода с удлиненной характеристикой ( лампа с переменной крутизной.| Обратные сеточные токи. [24]

Их называют ( условно) отрицательными токами сетки.  [25]

Триод Г ] открывается под действием отрицательного тока в базе, создаваемого благодаря сопротивлению &. В результате триод Т переходит в состояние насыщения, а триод Т2 - в состояние отсечки. На выходе 3 появляется отрицательный сигнал.  [26]

Микросхема представляет собой преобразователь декодирующий 8-разрядный отрицательных токов.  [27]

Точка пересечения С лежит в области отрицательных токов базы.  [28]

29 Конструкция сднопереходного транзистора со стабилизацией тока базы при помощи полевого транзистора. [29]

Причиной смещения / Ср в область отрицательных токов эмиттера может быть экстракция носителей тока из базы обратносмещенным эмиттером. В тонких образцах экстракция проявляется заметнее и отклонение Vcv от Vi соответственно больше.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5