Обратный ток - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если тебе завидуют, то, значит, этим людям хуже, чем тебе. Законы Мерфи (еще...)

Обратный ток

Cтраница 1


Обратные токи вызывают дополнительное локальное перемешивание в пленке.  [1]

2 Транзисторы малой мощности среднечастотные. [2]

Обратные токи / j 50 з Р Отся: у транзисторов ГТ109Д, ГТ109Е - при / КБ 2 В; у ГТ108А - ГТ108Г; ГТ109А - ГТ109Г, ГТЮЭИ, МШИА, МП112 - МППЗА при УкБ 5 В; у МПШ-МПШБ - при УкБ В; у транзисюров остальных типов при Уцв КБ мака.  [3]

Обратный ток при этом несколько увеличивается за счет роста генерационной составляющей ( § 1.10) тока у поверхности, и напряжение пробоя р - - перехода не изменяется.  [4]

Обратный ток при этом остается достаточно большим, так как он определяется электронами, тун-нелирующими из р - в n - область.  [5]

6 Условное обозначение диода.| Характеристика диода в линейном масштабе.| Характеристика диода. [6]

Обратный ток всегда на несколько порядков меньше, чем прямой.  [7]

Обратный ток / Одр - ток, протекающий через диод при приложенном к нему обратном напряжении ( обычно обр.  [8]

Обратные токи в этих диодах малы, поэтому в инженерных расчетах их полагают равными нулю; заметный ток появляется только при U Unop. Область напряжений 0 U Unop называется зоной умолчания. Иногда при анализе кремниевых интегральных схем ВАХ диода изображают в виде ступеньки ( рис. 1.3), то есть представляют диод в виде идеального ключа.  [9]

Обратный ток в этом случае ограничивается только самим диодом и в начальный момент времени может быть очень большим.  [10]

Обратный ток через переход / 3 и обратное напряжение на нем при этом возрастают. Однако обратное напряжение на катодном переходе намного меньше обратного напряжения на анодном переходе, и обратный ток через структуру остается при этом практически неизменным. Поэтому значения обратного тока ( напряжения) / G для силовых тиристоров также ограничиваются определенным допустимым значением.  [11]

Обратный ток через электронно-дырочный переход определяется неосновными носителями заряда. Количество их зависит в основном от температуры полупроводника.  [12]

13 Структурные схемы германиевого ( а и кремниевого ( б вентилей и конструктивный разрез кремниевого вентиля ( в. [13]

Обратный ток в кремниевых вентилях, на несколько порядков меньше, чем у германиевых. Это является одним из существенных преимуществ кремниевых вентилей.  [14]

Обратные токи могут составлять всего несколько пикоампер.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5