Обратный ток - диод
Cтраница 5
Как было показано выше ( § 2.5), обратный ток диода уменьшается с ростом ширины запрещенной зоны полупроводника, и поэтому у кремниевых диодов он во много раз меньше, чем у германиевых. Большая, чем у германия, ширина запрещенной зоны кремния обусловливает и более высокую предельно допустимую температуру кремниевых диодов. Эта температура составляет 125 - 150 С. [61]
 |
Зависимость вольт-амперной характеристики германиевого диода от температуры ( Гз7 27 1. [62] |
Обычно выбирают Г293 К, а / Насо - экспериментально измеряемый обратный ток диода при этой температуре. [63]
 |
Характеристики вход - выход магнитного усилителя Т5. Д при колебаниях темпе. [64] |
Вследствие того что при понижении температуры сопротивление нагрузочных обмоток и обратный ток диодов уменьшаются, ток насыщения усилителя и крутизна характеристики вход - выход увеличиваются. [65]
Типичная вольтамперная характеристика кремниевого диода приведена на рис. 10.21. Для обратного тока диода на рисунке выбран более крупный масштаб. Левее точки - 1 В обратный ток диода резко возрастает. Поэтому наибольшей нелинейностью обладает участок характеристики между точками ( - 1 0В - - 1 0 В), а оптимальное положение рабочей точки совпадает с началом координат. [66]
При заданной величине обратного напряжения по микроамперметру iA фиксируют величину обратного тока диода. [67]
Индекс с-норма параметра по ТУ для сдаточных испытаний / о6р - обратный ток диода; Unp-прямое напряжение на диоде; т - время восстановления обратного сопротивления; / ко, / - обратный ток коллектора и эмиттера соответственно; RHK - сопротивление насыщения транзистора; В, - статический коэффициент передачи тока; Абст наЧ - изменение статического коэффициента пере-сл дачи тока; С / пр имп-импульсное прямое напряжение; С / вх-входное напряжение. [68]
Страницы: 1 2 3 4 5