Cтраница 3
![]() |
Схемы усилительных каскадов с отдельным источником смещения. [31] |
Прирост обратного тока коллектора при неправильно выбранной схеме значительно усиливается самим триодом, что приводит к дополнительному изменению полного тока коллектора. [32]
![]() |
Схема, поясняющая оттеснение тока эмиттера от центральных областей к периферии. [33] |
Величиной обратного тока коллектора, входящего также в ток базы, мы пренебрегаем. [34]
Значение обратного тока коллектора / к о макс определяем из справочника при максимальной температуре коллекторного перехода. [35]
Чем обусловлен обратный ток коллектора в транзисторе. [36]
![]() |
Схематическое изображение потоков. [37] |
Кво - обратный ток коллектора, который является общим для обоих транзисторов, составляющих структуру тиристора. [38]
У реальных транзисторов обратный ток коллектора / Н может заметно превышать ток насыщения за счет других составляющих ( см. стр. При этом в области не слишком высоких температур обратный ток зависит от температуры значительно меньше, чем ток насыщения. [40]
При обычных условиях обратный ток коллектора / ко весьма мал. В паспортных данных указывают величину тока / ко, измеренную при разомкнутой цепи эмиттера и при температуре 20 С. [41]
С учетом понятия обратного тока коллектора ток / к для активного режима работы следует представить как сумму двух составляющих: тока / ИБО и части эмиттерного тока, который определяется потоком носителей, инжектированных в базу и дошедших ( за вычетом рекомбиниро-вавших в базе) до коллекторного перехода. [42]
![]() |
Условные графические обозначения транзисторов и тиристоров. [43] |
Чем обусловлено появление обратного тока коллектора. [44]
С учетом понятия обратного тока коллектора ток / к для активного режима работы следует представить как сумму двух составляющих: тока / ИБО и части эмиттерного тока, который определяется потоком носителей, инжектированных в базу и дошедших ( за вычетом рекомбиниро-вавших в базе) до коллекторного перехода. [45]