Cтраница 3
Так как сопротивление R3 по-прежнему выдает свой номинальный ток 0 25 ма, к концу времени рассасывания остается полный обратный ток базы 1 1 ма. Поскольку индуктивный ток затухает, действительное время спада будет несколько больше этой величину. [31]
Для определения скорости переключения требуются графики зависимости времени включения от прямого тока базы и времени рассасывания и спада от обратного тока базы. [32]
Слагаемым Q6 / T6 в выражении для тока / б можно пренебречь, так как выключение в основном определяется обратным током базы. [33]
При отпирании транзистора Т2 его коллекторный ток замыкается через ускоряющий конденсатор С1 и эмиттерный переход насыщенного транзистора 7, создавая обратный ток базы. Обратный ток базы транзистора Т1 вызывает рассасывание избыточного заряда и транзистор из состояния насыщения переходит в активную область. Как только 7 будет выведен в активную область, коэффициент усиления в петле положительной обратной связи станет больше единицы. В схеме начнется регенеративный процесс, в результате которого 7 запирается, а Т2 переходит в состояние насыщения. Однако исходное состояние устойчивого равновесия достигается не сразу. [34]
Таким образом, гарантируя в предельном случае минимальный прямой ток базы 0 4 ма, при выключении необходимо ( в силу разброса параметров) обеспечить обратный ток базы, достаточный для получения требуемого времени рассасывания при прямом токе базы непосредственно перед выключением, равный 0 57 ма. [35]
При отпирании транзистора Т2 его коллекторный ток замыкается через ускоряющий конденсатор С1 и эмиттерный переход насыщенного транзистора 7, создавая обратный ток базы. Обратный ток базы транзистора Т1 вызывает рассасывание избыточного заряда и транзистор из состояния насыщения переходит в активную область. Как только 7 будет выведен в активную область, коэффициент усиления в петле положительной обратной связи станет больше единицы. В схеме начнется регенеративный процесс, в результате которого 7 запирается, а Т2 переходит в состояние насыщения. Однако исходное состояние устойчивого равновесия достигается не сразу. [36]
Обратный ток базы транзистора Т2 ( / д, - /), который необходимо обеспечить с помощью Кз, должен быть достаточным лишь для получения времени спада 0 5 мксек. IR, 1 57 ма, а не 3 2 ма, которые получаются без учета допусков на сопротивление и напряжение ( стр. [37]
Установим максимальное время рассасывания равным 0 5 мксек. Требуемый обратный ток базы зависит от прямого тока базы непосредственно перед выключением. Допустим, что в предельном случае этот ток не превышает 1 ма. Пусть - R3 и F3 постоянны и создают номинальный обратный ток базы 6 / 24 0 25 ма. Тогда комбинация L и R должна обеспечить разность 1 70 - 0 25 1 45 ма. [38]
Практически обратный ток базы превышает обратный ток коллектора на доли или единицы процента. [39]
Транзистор находится в состоянии насыщения. Протекает обратный ток базы, ускоряющий рассасывание избыточного заряда в базе. [40]
В момент времени ( 4 действие входного отпирающего импульса заканчивается. Возникает обратный ток базы / б2 ( 14н - U0) / R. Под воздействием процесса рекомбинации заряд неосновных носителей в базе уменьшается. Спустя некоторое время транзистор выходит из насыщения и переходит в активную область, а затем запирается. [41]
Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ для двух различных температур показаны на рис. 3 - 15, а. При повышении температуры обратный ток базы / ворб / КБО ЭБО увеличивается. При малых значениях прямой ток базы / Б / эп / эрек - / кво сильно зависит от обратного тока коллектора, поэтому с увеличением температуры он уменьшается. При больших значениях прямой ток базы определяется членами / эл эрек, которые увеличиваются вместе с увеличением тока эмиттера. Поэтому базовые характеристики при некотором значении прямого тока пересекаются. [42]
Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ для двух различных температур показаны на рис. 3 - 15, а. При повышении температуры обратный ток базы / ворб / К. При малых значениях прямой ток базы / Б / эл эрек - / кво сильно зависит от обратного тока коллектора, поэтому с увеличением температуры он уменьшается. При больших значениях прямой ток базы определяется членами / эл - f - эрек, которые увеличиваются вместе с увеличением тока эмиттера. Поэтому базовые характеристики при некотором значении прямого тока пересекаются. [43]
R является источником обратного тока базы, текущего через С, который обеспечивает требуемую скорость выключения. [44]
Таким образом, полный обратный ток базы равен 0 85 ма. Так, при обратном токе базы 0 85 ма после прямого тока 3 ма время спада будет равно 0 08 мксек. Измеренное время спада равно 0 14 мксек. [45]