Обратный ток - эмиттерной переход
Cтраница 1
Обратный ток эмиттерного перехода в большинстве случаев мало влияет на работу ключа, поэтому его учитывать не будем. [1]
Влияние обратного тока эмиттерного перехода / эо сказывается при инверсном включении транзистора. Такое включение используется в преобразователях и в некоторых импульсных схемах. [2]
Ток / нас представляет собой обратный ток эмиттерного перехода. [3]
Уменьшению остаточного напряжения при инверсном включении транзисторов способствуют увеличение а, уменьшение обратного тока эмиттерного перехода Igg, уменьшение сопротивления базы / g, уменьшение емкости переходов, уменьшение тока базы в открытом состоянии транзистора, уменьшение сопротивлений источника сигнала и входной цепи усилителя. Наиболее пригодны для ключевых модуляторов высокочастотные маломощные транзисторы с большими значениями коэффициента усиления по току. [4]
Влияние температуры на входные характеристики ( см. рис. 4.15 и 4.16) обусловлено увеличением теплового обратного тока эмиттерного перехода с ростом температуры, чем объясняется увеличение входного тока. [5]
 |
Схемы для измерения токов транзисторов. [6] |
Если к схеме, показанной на рис. 40, а, подключить эмиттерный переход транзистора, будет измерен обратный ток эмиттерного перехода. [7]
Эмит-терный и коллекторный переходы транзистора смещены в обратном направлении. Обратный ток эмиттерного перехода, площадь которого очень мала, не учитывают. [8]
Схема с транзисторными связями ( ТТЛ) по своим характеристикам приближается к элементу с непосредственными связями, но в ней несколько труднее обеспечить температурную стабильность. В элементе ТТЛ сопротивление коллектора необходимо для обеспечения пути тока / КБО и обратных токов эмиттерных переходов транзисторов связи. [9]
Как показал опыт работы, катастрофические отказы могут быть вызваны также нарушениями режимов вплав-ления электродов и отклонениями от нормальной технологии, допущенными при обработке кристаллов. Так, у отдельных транзисторов П101 - П103 при термоцикли-ровании и работе в условиях отрицательных температур наблюдалось появление микротрещин в области эмиттер-ного перехода, вследствие чего резко увеличивался неуправляемый обратный ток эмиттерного перехода / Эбо - Подобные же дефекты, а также понижение пробивного напряжения при охлаждении германиевых транзисторов П210 являлись следствием микротрещин в области базы и были обусловлены различием температурных коэффициентов расширения германия и электродных материалов. [10]
Другим способом подавления динамического и статического смещения является диодная фиксация потенциалов баз закрытых сверху триодов - например, шунтирование входов германиевых транзисторов кремниевыми диодами. В триггерах на дрейфовых триодах такая фиксация получается автоматически из-за пробоя эмиттерного перехода, который происходит при довольно низких обратных напряжениях. Так как обратный ток эмиттерного перехода при этом ограничен небольшой величиной, пробой перехода безопасен. [11]
После лавинного запирания транзистора отрицательное напряжение на конденсаторе поддерживает транзистор в запертом состоянии. Когда напряжение на эмиттере превысит нулевой уровень и повысится до е б, транзистор снова переходит в активный режим и начинается лавинный процесс его включения. В данной схеме в перезарядке конденсатора С участвует не ток / ко, а обратный ток запертого эмиттерного перехода / эо, который при использовании несимметричных биполярных транзисторов в несколько раз меньше, чем / ко. Нестабильность величины / эо в силу малости этого тока меньше сказывается на стабильности зарядного тока. Стабильность частоты колебаний повышается. Другим недостатком является резкий спад вершины выходного импульса блокинг-генератора. [12]
Схему блокинг-генератора рис. 4.21 а легко перевести в ждущий режим, если резистор R подключить к источнику напряжения запирающей полярности ( положительной для транзистора р-п - р и отрицательной для п-р - п), которое будет поддерживать транзисторы в закрытом состоянии до прихода запускающего импульса. В блокинг-генераторах транзистор иногда включают по схеме с общей базой, которая потенциально обладает лучшей температурной стабильностью. Объясняется это тем, что здесь времяза-дающая цепь RC включается в цепь базы и единственной причиной нестабильности является обратный ток эмиттерного перехода. В схеме с общим эмиттером к току разряда емкости добавляется еще одна составляющая - обратный ток коллекторного перехода / К ь имеющая тот же порядок нестабильности. Частотные свойства транзистора в этой схеме также значительно лучше. Дальнейшее уменьшение п сопряжено с потерей частотных преимуществ схемы и конструктивными сложностями. [13]
На рис. 3 - 10 6 начальные участки эмиттерных характеристик изображены в увеличенном масштабе. Характеристики, снятые при КБ0 и / 0, проходят через начало координат. КБО, которое целиком приложено к эмиттерному переходу, что вызывает появление незначительного прямого тока эмиттера и соответствующее ( незначительное) смещение данных эмиттерных характеристик влево от начала координат. При некотором отрицательном напряжении U3B 0 в эмиттерной цепи устанавливается обратный ток 1 эъо, примерно равный обратному току эмиттерного перехода / ЭБО. Он представляет собой ток неосновных носителей и поэтому практически определяется концентрацией неосновных носителей ( дырок) в базе, имеющей меньшую концентрацию примеси в сравнении с областью эмиттера. [14]
На рис. 3 - 10 6 начальные участки эмиттерных характеристик изображены в увеличенном масштабе. КБО, которое целиком приложено к эмиттерному переходу, что вызывает появление незначительного прямого тока эмиттера и соответствующее ( незначительное) смещение данных эмиттерных характеристик влево от начала координат. При некотором отрицательном напряжении [ / ЭБ 0 в эмиттерной цепи устанавливается обратный ток / эБО, примерно равный обратному току эмиттерного перехода / ЭБО. Он представляет собой ток неосновных носителей и поэтому практически определяется концентрацией неосновных носителей ( дырок) в базе, имеющей меньшую концентрацию примеси в сравнении с областью эмиттера. [15]
Страницы: 1