Постоянный обратный ток

Cтраница 2

К основным статическим параметрам относятся прямое падение напряжения / Пр при заданном прямом токе / цР, постоянный обратный ток / обр при заданном обратном напряжении ( Уобр. [16]

Если образец не был тщательно очищен после монтажа, то при наложении смещения до нескольких вольт проводимость канала падала, а затем устанавливалась и не зависела от дальнейшего увеличения смещения. Наконец, нужно отметить, что в указанных чистых условиях постоянный обратный ток от п - к / г-области возрастал при максимальных влажности и смещении максимум на 5 мка по сравнению со значением в сухом воздухе. Это значит, что нагрузочное сопротивление в цепи измерения проводимости шунтировалось самое меньшее 1 мгом, что пренебрежимо мало влияет на точность измерений. [17]

При обратном смещении интегрального диода необходимо учитывать, что напряжения, прикладываемые к диоду и изолирующему р-л-переходу, не должны превышать пробивных напряжений соответствующих переходов. Максимально допустимое обратное напряжение для вариантов /, / / и IV ограничивается напряжением пробоя перехода эмиттер - база, а для вариантов / / /, V - напряжением пробоя перехода коллектор - база, Напряжение пробоя перехода эмиттер - база обычно составляет 5 - 7 В, перехода коллектор - база - 50 - 60 В и перехода коллектор - подложка - свыше 70 В. К параметрам диода, характеризующим обратную ветвь в.а.х., относится постоянный обратный ток через диод при смещении его в обратном направлении. [18]

Выпрямительными называют полупроводниковые диоды, предназначенные для выпрямления переменного тока низких частот. По предельным рабочим токам различают диоды малой ( до 0 3 А), средней ( от 0 3 до 10 А) и большой ( свыше 10 А) мощности. Основными параметрами выпрямительных диодов являются постоянное прямое напряжение U при заданном прямом токе и постоянный обратный ток / обр при заданном обратном напряжении. [19]

Распределение концентрации плазмы ( а и напряженности поля ( б при переключении диода на дрейфовой стадии накопления. [20]

Характер процесса восстановления диода при переключении на обратное смещение существенно зависит от того, на какой стадии был прерван процесс накопления плазмы при прямом смещении. Если длительность накопления была достаточна для охлопывания диффузионных слоев, то восстановление протекает довольно медленно. Дырки из плазмы у р - v-перехода выводятся в р-слой, а электроны движутся к и-слою в слабом поле, создаваемом протекающим через плазму практически постоянным обратным током; одновременно идет рекомбинация носителей в плазме. После спада концентрации дырок у р - v-перехода до равновесного значения начинает формироваться ОПЗ, граница к-рой смещается к n - слою со скоростью движения электронов в слабом поле; ток в цепи падает, а напряжение на диоде нарастает. Затем ОПЗ занимает весь базовый слой, избыточные носители полностью удаляются из базы, и процесс переключения заканчивается; длительность такого процесса лежит обычно в микросекундном диапазоне. Характер процесса радикально меняется, если переключение производится на дрейфовой стадии накопления, В этом случае тонкий слой плазмы Р2 истощается очень быстро и у п-слоя формируется фронт концентрац. [21]

Распределение концентрации плазмы ( а и напряженности поля ( б при переключении диода на дрейфовой стадии накопления. [22]

Следует отметить, что форма импульса тока через диод и форма импульса СВЧ-мощности в модуляторе могут не совпадать, поскольку проводимость диода существенно зависит от целого ряда нелинейных эффектов, возникающих при большой плотности тока и большой концентрации плазмы. СВЧ-мощности насыщаются из-за падения коэф. С др. стороны, при переключении диода из прямого смещения на обратное при относительно небольших плотностях тока ослабление СВЧ-мощности начинает уменьшаться практически сразу, хотя постоянный обратный ток протекает довольно долго. Это связано с уменьшением проводимости областей, прилегающих к р - - переходам, из-за выведения носителей во внеш. [23]

Поскольку переходные процессы рассматривались применительно к плоскостным диодам без электрического поля в базе, то в качестве эталона при сравнении всех типов импульсных диодов примем переходную характеристику сплавного диода. При одинаковых режимах переключения и одинаковом времени жизни неравновесных носителей в базе у точечного диода заряд переключения Qn, максимальный бросок обратного тока t B и особенно длительность фазы постоянного обратного тока t будут значительно меньше, чем у сплавного диода. Величины же времени спада обратного тока / 2 у этих диодов различаются не очень сильно. У диффузионных диодов, напротив, значения Qn и tit а также импульс обратного тока in ( в том случае, если он меньше i i) больше, чем у аналогичных сплавных диодов, а время tz значительно меньше. [24]

При изготовлении транзисторов по единой технологии в силу разброса электрофизических параметров исходных полупроводниковых материалов, разброса технологических режимов и наличия большого числа случайных факторов изготавливаемые транзисторы, как правило, имеют существенный разброс основных параметров. Поэтому транзисторы классифицируются ( подразделяются на группы) по интервальным значениям параметров или их сочетанию. Параметры, по которым производится такое подразделение, называются классификационными. Система классификационных параметров может быть различной для транзисторов различных функциональных назначений. ГР - аналог ил ( см. § 2.2.4) ( или другие предельно допустимые напряжения), коэффициент передачи тока базы для большого / i2iэ и малого Л2 Э сигналов, постоянный обратный ток коллектора / КБО при разомкнутой цепи база - эмиттер. [25]

Страницы: 1 2