Диффузионный ток - дырка
Cтраница 1
Диффузионный ток дырок при этой координате равен нулю. [1]
Диффузионный ток дырок увеличивается, так как число дырок, которые могут преодолеть потенциальный барьер и перейти в - область, увеличивается. Аналогичная картина имеет место и для электронов. В этом случае через переход проходит прямой ток, равный сумме дырочной и электронной составляющих. [2]
Создается диффузионный ток дырок из базы в переход. Одновременно из базы во внешнюю цепь в таком же количестве выводятся электроны, чем сохраняется нейтральность базы. Далее градиент концентрации начинает уменьшаться и обратный ток достигает величины / обр. [3]
Отсюда можно видеть, что диффузионный ток дырок экспоненциально убывает по мере удаления от перехода. [4]
 |
Распределение в транзисторе. [5] |
Возникающий в базе градиент концентрации дырок вызывает диффузионный ток дырок от амиттера к коллектору. [6]
При этом увеличивается градиент концентрации и, следовательно, возрастает диффузионный ток дырок к коллектору и ток коллектора. [7]
Между зарядами отрицательных акцепторов и положительных дырок образуется разность потенциалов U, под действием которой в полупроводнике протекает дрейфовый ток дырок, направленный навстречу диффузионному току дырок. По мере диффузии градиент концентрации носителей заряда уменьшается, а дрейфовый ток из-за роста объемных зарядов будет расти. [8]
Из рис. 1 - 12, а, б следует, что диффузионный ток электронов совпадает по направлению с градиентом их концентрации, а диффузионный ток дырок направлен противоположно градиенту концентрации дырок. [9]
Градиент концентрации дырок в n - базе на границе п - п перехода, как видно из рис. 1.19, равен нулю. Это означает, что диффузионный ток дырок через этот переход также равен нулю. [11]
 |
Распределение концентраций примесей и диффузии электронов и дырок в электронном полупроводнике.| Схема образования объемного заряда при диффузии. [12] |
Так как плотность тока в изолированном полупроводнике должна быть равна нулю, то очевидно, что в равновесном состоянии диффузионный ток электронов должен быть уравновешен встречным током дрейфа электронов в поле Е - током проводимости. Аналогичное равновесное состояние должно иметь место также между диффузионным током дырок и дырочным током проводимости. [13]
 |
Смещение р-п перехода в обратном направлении.| Диаграмма изменения энергетических зон полупроводника с р-п переходом при обратном смещении. [14] |
Однако концентрация таких электронов в n - области экспоненциально убывает с ростом энергетического барьера. Поэтому диффузионный ток электронов из - области в р-область быстро уменьшается практически до нуля с ростом обратного напряжения на переходе. Аналогично резко до нуля уменьшается и диффузионный ток дырок из р-области в - область. Однако неосновные носители ведут себя по-другому. Дырки из - области, попадающие благодаря тепловому движению в область объемного заряда перехода, перебрасываются электрическим полем перехода в р-область. Аналогично электроны из р-области, попадающие в область объемного заряда, перебрасываются в n - область. [15]
Страницы: 1 2