Cтраница 1
Экранирующие токи пересекают ленту композитного сверхпроводника на каком-то расстоянии и образуют замкнутые петли тока. [1]
При вычислении экранирующих токов предполагалось, что продольный сверхпроводящий ток с линейной плотностью gt течет в бесконечно тонком цилиндрическом слое радиусом г а. В действительности этот слой имеет конечную толщину и содержит наиболее близко расположенные к поверхности провода сверхпроводящие волокна, плотность тока в которых равна критической. Из выражения (8.45) следует, что при увеличении В и L или при уменьшении р линейная плотность тока gt будет возрастать, а следовательно, должна возрастать толщина токового слоя, в котором сверхпроводящие волокна несут критический ток. [2]
![]() |
Теоретическая зависимость фактора Г ф гистерезисных потерь от приведенной амплитуды р поля для сверхпроводящего цилиндра, находящегося в осциллирующем поперечном магнитном поле. [3] |
Распределение полей, создаваемых экранирующими токами, становится значительно более сложным для системы параллельных цилиндрических сверхпроводников, расположенных в непосредственной близости друг к другу. На рис. 8.10, бив показаны два крайних случая. В первом набор цилиндров расположен в плоскости, параллельной внешнему полю. Как видно из рис. 8.3, б, дипольное поле одного цилиндра усиливает экранировку внутри соседних цилиндров и ослабляет их наружное поле. Следовательно, такая цепочка ведет себя подобно пластине в параллельном поле, и гистерезисные потери на единицу объема соответственно уменьшаются. [4]
Угловая зависимость - cos в плотности экранирующего тока обеспечивает однородность внутреннего магнитного поля Bt ( разд. [5]
Заметим, что в поперечном магнитном поле экранирующие токи создают магнитное поле как внутри, так и вне цилиндра. [6]
Поэтому доля конденсата, вносящего вкляд в экранирующий ток, падает с уменьшением I. Такая ситуация несколько напоминает ситуацию в гелии II, где межчастичные взаимодействия приводят к истощению конденсата, хотя в сверхпроводнике конденсат не истощается, а становится менее эффективным. [7]
Во-первых, для удовлетворения условия, что незначительный экранирующий ток должен протекать в сверхпроводящих нитях, максимальный шаг перекручивания нитей, определяемый уравнением (9.4.14), должен быть равен Lc 0 87 см. Следует поэтому предположить, что провод перекручен с шагом, меньшим, чем это значение. [8]
При изменении продольного магнитного поля в них возникают экранирующие токи. Поскольку во внешнем слое индуцируется электрическое поле наибольшей величины, то именно в этом слое будет в первую очередь достигнута критическая плотность тока. [9]
![]() |
Температурная зависимость поля Bpj, при котором происходит скачок потока в цилиндрическом образце. [10] |
Штриховая линия изображает значения поля, при которых экранирующие токи достигают центра изученного в работе [2] ниобий-титанового образца диаметром 10 мм. [11]
Поскольку каждая нить сверхпроводника имеет довольно большой размер, экранирующие токи, текущие в них, будут разрушаться спонтанно при низких значениях тока. Поэтому рост температуры во время любых скачков потока будет ограничен несколькими градусами Кельвина. [12]
![]() |
Распределение экранирующих токов и индукции в сверхпроводя-щем шлиндре в осциллирующем поперечном магнитном поле ( Вт 4 i0Jca / n. [13] |
При малой амплитуде внешнего магнитного поля в поверхностном слое цилиндра индуцируются экранирующие токи, которые создают однородное магнитное поле, равное по величине и противоположное по направлению приложенному полю. Ни один из этих вариантов, строго говоря, не подходит к рассматриваемой ситуации, в которой внешняя граница является круговым цилиндром, а плотность токов в области проникновения поля по величине остается постоянной и равной критической плотности тока. [14]