Отпирающий ток - база
Cтраница 1
Отпирающий ток базы / Б, обеспечивающий ток коллектора открытого транзистора в режиме насыщения, определяется формулой 1в / к / pmin, где pmin - минимальный коэффициент усиления транзистора по току. [1]
После появления скачка отпирающего тока базы заряд начинает возрастать. [2]
 |
График функции. [3] |
Кривая, изображенная на рис. 3.6, помогает выбирать отпирающий ток базы по соображениям быстродействия ключа. [4]
Отсюда ясно, что время выхода транзистора из режима насыщения увеличивается с возрастанием отпирающего тока базы. [5]
При работе транзистора в ключевом режиме на вход транзистора ( см. рис. 2.26, а) подается отпирающий ток базы / Б1 / вн, т.е. достаточный для перевода транзистора в режим насыщения. [6]
Другими словами, напряжение на коллекторе падает с такой скоростью, что ток через емкость обратной связи почти достаточен, чтобы подавить отпирающий ток базы и вывести базу из состоя - Ния проводимости. [7]
За время входного сигнала напряжение на конденсаторе, который в исходном состоянии связан с коллектором открытого транзистора, не должно существенно возрастать. В противном случае уменьшается отпирающий ток базы на этапе положительного фронта, а в пределе ( если напряжение на конденсаторе возрастает до Ек и выше) триггер утрачивает работоспособность. [8]
Характер изменения временных параметров при изменении режимов в схеме определяется полученными уравнениями Времена нарастания и спада коллекторного тока транзистора уменьшаются с ростом амплитуды соответственно отпирающего и запирающего входного тока. Время рассасывания увеличивается с ростом отпирающего тока базы / В1 и уменьшается с увеличением запирающего 1вг - При увеличении тока нагрузки фронты переключения увеличиваются, а время рассасывания уменьшается. Данные величины также могут быть получены с использованием справочных данных. [9]
Начальному ( нулевому) значению тока базы соответствует и нулевое значение заряда в базе Q. После появления скачка отпирающего тока базы заряд начинает возрастать. [10]
По мере заряда конденсатора ток заряда, а следовательно, и ток нагрузки уменьшаются. Таким образом, влияние нагрузки особенно велико в момент переключения и в первый момент после переключения. Из-за уменьшения абсолютной величины напряжения на коллекторе 7 уменьшается отпирающий ток базы насыщенного транзистора Г2 и возникает опасность выхода этого транзистора из режима насыщения в течение некоторого времени после переключения триггера. [11]
Пусть на базу транзистора VT1 подан отрицательный импульс, амплитуда которого достаточна для его закрывания. Напряжение на коллекторе транзистора VT2 уменьшится, что вызовет уменьшение отпирающего тока базы транзистора VT1 и еще большее увеличение напряжения на его коллекторе. Процесс переключения происходит лавинообразно и завершается переходом триггера во второе устойчивое состояние. [12]
В схеме рис. 6.120 использован транзистор p - n - p - типа. После включения источника питания - Е конденсатор С начинает заряжаться через RQ. Когда напряжение на конденсаторе снизится до напряжения отсечки ео5, появляется отпирающий ток базы транзистора Т, последний переходит в активный режим и создаются условия для его лавинного переключения. Транзистор включается и переходит в режим насыщения. [13]
Замыкание ключа происходит в два этапа. На первом этапе входная емкость Свх транзистора заряжается до потенциала, соответствующего отпиранию его эмиттерного перехода. При этом напряжение на выходе ключа не меняется. Оно уменьшается с ростом отпирающего тока базы, при использовании высокочастотных транзисторов, а также при уменьшении паразитной емкости Свых, шунтирующей коллекторную цепь транзистора. [14]
Все испытания проведены для отпирающего тока базы 1 А с применением цепи нелинейной обратной связи и без таковой. Результаты испытаний при окружающей температуре 25 С приведены в Табл. [15]
Страницы: 1