Переключаемый ток

Cтраница 2

Обмотки выполняются на разные напряжения постоянного и переменного тока, в последнем случае до 380 в. Реле имеют мощные контакты, рассчитанные на напряжение до 220 в и переключаемый ток до 5 а. Поэтому эти реле часто используют в качестве выходных исполнительных реле. [16]

Таким образом, диапазон изменения времени рассасывания действительно не зависит от sp и полностью определяется Стр. Однако абсолютные значения рас max и tpac ты с увеличением sp сильно возрастают, причем именно у нуля переключаемого тока, что говорит о невозможности реализации переключателей переменного тока без принятия специальных мер по устранению сквозных токов. Здесь рассмотрен простейший транзисторный ключ при модуляции тока коллектора. Реальные процессы в ключах РО переменного тока осложняются, во-первых, взаимодействием ключей, во-вторых, зарядными эффектами коллекторных емкостей, в-третьих, характером нагрузки, и точную картину переходных процессов можно получить, лишь используя цифровую модель транзистора. [17]

Схема ключа с малым временем переключения. [18]

С помощью высокочастотных транзисторов удается получить время переключения порядка 0 1 мк / сек. Так как транзисторная техника развивается весьма интенсивно, то можно рассчитывать на то, что в дальнейшем удастся как увеличить значения переключаемых токов, так и расширить частотный диапазон ключей. [19]

Основные характеристики фоторезисторов. [20]

Преимущества тиристоров главным образом заключаются в том, что для поддержания их в отпертом состоянии не требуется затраты мощности входного сигнала, а отношение переключаемого тока к управляющему току спрямления достигает нескольких тысяч. Они имеют более высокие рабочие напряжения ( свыше 1000 В), что связано с большей толщиной полупроводниковых слоев тиристорной структуры. Поэтому в тиристоре менее выражены эффекты концентрации тока, которые ограничивают повышение коллекторного тока в транзисторах. [21]

Схема формирователя импульсов управления СТО. [22]

Дальнейшее развитие силовой электроники невозможно без совершенствования существующих и разработки новых типов управляемых ключевых приборов. Данные приборы имеют малые времена включения и выключения, высокие динамические параметры dl / dt и du / dt, а также быстро увеличивающиеся предельно переключаемые токи и напряжения. У наиболее мощных японских индукционных тиристоров эти параметры достигают 600 А и 2000 В, а у опытных образцов даже 2200 А и 4000 В. Параметры некоторых типов японских индукционных тиристоров приведены в табл. 37.21. В России данная технология находится в стадии разработки. Различают как нормально открытые, так и нормально закрытые индукционные тиристоры. [23]

Зависимость сопротивления открытого ключа от напряжения входного сигнала при различном напряжении питания. [24]

При протекании коммутируемого тока к выходам /, 4, 8 или 11 для предотвращения составляющей тока от напряжения источника питания в нагрузке падение напряжения на двунаправленном ключе не должно превышать 0 8 В. Несоблюдение этого условия может иметь результатом искажение сигнала. Если переключаемый ток течет к выводам 2, 3, 9 или 10, влияния на него источника питания не будет. [25]

Главная особенность работы транзисторных ключей и переключателей ( пары ключей, работающих в противотак-те) в РО переменного напряжения заключается в том, что транзистор коммутирует ток, модулированный по синусоидальному закону. Одновременно и напряжение на коллекторе изменяется по синусоиде, причем в общем случае при изменении характера нагрузки ток и напряжение могут быть сдвинуты друг относительно друга по фазе. Непрерывное изменение переключаемого тока и напряжения приводит к тому, что динамические параметры транзисторов: время включения ВКл, время рассасывания г рас, время выключения tBblK - также изменяются. [26]

РПН устанавливается в положение повышенного напряжения обмоток 6 кВ, а после разгона электродвигателей РПН автоматически снижает напряжение до номинального. Второй режим предусматривает автоматическое повышение напряжения на шинах 6 кВ в процессе затяжного ( более 10 с) самозапуска, если предельный переключаемый ток устройства РПН позволяет использовать такую форсировку. [27]

ЕВО - ток утечки эмиттер - база при отключенном коллекторе; k - постоянная Больцмана ( 1 38 10 23 Дж / К); Т - абсолютная температура в градусах Кельвина, К С 273; q 1 6 1019 кулон. Отрицательной стороной такого улучшения ключа является требование более высокого значения тока базы, возбуждающего ключ, как результат низкого усиления транзистора в инверсном включении; в коммутаторах это почти не создает трудностей, поскольку переключаемый ток сигнала обычно очень мал из-за высокого входного импеданса системы. [28]

Этот факт указывает на то, что в таком режиме переключений перегрев структуры усиливается, так как в одном объеме выделяется теплота от двух переходных процессов. Вероятность разрушения структуры возрастает. Приведенная на рис. 6 - 1 зависимость между предельным переключаемым током и напряжением, видимо, может формироваться не только за счет теплового механизма. Поскольку в процессе выключения в структуре временно имеет место ситуация, характеризующаяся большой плотностью тока и большим падением напряжения ( этап спада тока и роста напряжения на структуре), то ограничивающий фактор может быть связан и с достижением критических значений электрического поля в структуре. В этом случае зависимость между током и напряжением будет также подобна приведенной на рис. 6 - 1, хотя в ее формировании будут участвовать и другие причины. [29]

Для переключения структуры тиристора из закрытого состояния в открытое используется световой сигнал, передаваемый по световолокон-ному кабелю. Освещение р-базы крайней ячейки квантами света вызывает генерацию электронов и дырок повышенной концентрации. Силовой ток вспомогательной структуры одновременно является управляющим током для основной части прибора, обеспечивая достаточно равномерное и быстрое ее включение. Основные стадии переходного процесса включения будут подробно рассмотрены в соответствующих разделах книги, посвященных вопросам применения тиристорных ключей. Здесь же заметим, что в зависимости от характера нагрузки и уровня переключаемого тока в структуре тиристора реализуются два основных режима. Один из них соответствует высокому уровню инжекции в узкой р-базе, а другой соответственно низкому. Широкая л-база тиристора выполняется, как правило, наиболее высокоомной, и в ней практически всегда реализуется высокий уровень инжекции, характерный для силовых переключателей. Наиболее просто механизм действия положительной обратной связи может быть продемонстрирован на основе двухтранзисторного аналога рассматриваемой структуры, показанного на 2.47. В такой модели коллекторный ток каждого из транзисторов одновременно является базовым током другого. [30]

Страницы: 1 2 3