Эмиссионный ток

Cтраница 2

Спектральная характеристика иконоскопа ( вверху и ортикона с переносом изображения ( внизу. [16]

Отношение эмиссионного тока к мощности освещающего потока характеризует чувствительность прибора для данного участка длин волн. График этого отношения как функция длины волны дает спектральную характеристику. Если фотоэмиссионный прибор является линейным, то для определения интенсивности лучистого потока в каждом спектральном участке может быть взята любая удобная величина, что не повлияет на вид результирующей кривой. [17]

Увеличение эмиссионного тока приводит к усилению ионной бомбардировки поверхности катода и нагреву и, как следствие, испарению материала анода. Последний фактор ведет к загрязнению материала катода, особенно его поверхности, что в свою очередь изменяет эмиссионный ток, как правило, в худшую сторону. А, причем наибольшее содержание примесей наблюдается в поверхностных слоях от 50 до 500 А. На рис. 4.15 приведены оже-спектры поверхности автокатода из графита типа МПГ-6 в присутствии анода из нержавеющей стали Х18НЮТ ( рис. 4.15 я) и на глубине около 500 А. [18]

Направление электронного тока сетка-анод lga в анодной и сеточной цепях лампового генератора. [19]

Особенно велик эмиссионный ток управляющей сетки у оксидных ламп, так как в этих лампах сетка активизирована за счет оксидов, распыляемых катодом. [20]

Влияние ионной бомбардировки на автоэлектронный эмиттер. [21]

Для создания эмиссионного тока 2.10 - 6а необходимо напряжение) 3020 ( чистый эмиттер), 3020 ( а), 2910 ( б), 2830 ( в. Общая продолжительность бомбардировки составляет 108 мин. [22]

Изображения букв и цифр, полученные при помощи дисплейной панели, содержащей 5X5 матриц, состоящих из тонкопленочных холодных катодов. [23]

Поэтому трудно объяснить низкие эмиссионные токи в туннельных катодах только малым значением длины свободного пробега электрона в диэлектрике и в металле. [24]

В некоторых случаях эмиссионный ток управляющей сетки, проходящий через сопротивление автоматического смещения, изменяет полярность напряжения на сетке, что приводит к большому анодному току и часто сопровождается разрушением лампы. [25]

При сопоставлении расчета эмиссионного тока по формуле (1.16) с данными эксперимента было установлено, что хорошее соответствие получается при введении дополнительных коэффициентов у величин Е и сг. Первый из них учитывает возможное увеличение поля в 1 5 - 2 раза за счет шероховатостей поверхности металла, а второй - что эмитирующая поверхность может в 10 - 1000 раз быть меньше всей поверхности металла. [26]

Функциональная схема установки для измерения флуктуации автоэмиссионного тока. ВСИ - высоковольтный стабилизированный источник. ИЧХ - измеритель частотных характеристик. КГ - калибровочный генератор. КО - контрольный осциллограф. ШО - широкополосный осциллограф. Ф - фотоаппарат. ЗО - запоминающий осциллограф. ИД - измеритель дисперсии. АС - анализатор спектра. УНЧ 4 - АС - усилитель низкой частоты с акустической системой. ВЧФ - фильтр высокой частоты. Д - экспериментальный диод. УС - широкополосный усилитель. 3 - быстродействующая защита. [27]

Для исследования флуктуации эмиссионного тока были использованы две основные методики - непосредственное изучение и фотографирование осциллограмм и анализ амплитуд эмиссионных токов в различных частотных диапазонах с помощью ЭВМ. [28]

Схематическое изображе - / г л п / - - - - - / л п. [29]

Выражение для плотности эмиссионного тока между плоскими электродами было получено в 1911 г. С. Д. Чайльдом, позже, в 1913 г., И. Ленгмюр вывел выражение для коаксиальных цилиндров. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5