Интегральный ток

Cтраница 1

Интегральный ток через термоэлемент содержит как переменную, так и постоянную составляющие. С ростом частоты со вихревой ток перераспределяется, концентрируясь у горячей грани термоэлемента. [1]

Метод измерения интегрального тока небольшой продолжительности будет описан в параграфе 748, а в большинстве случаев легко удостовериться в том, что длительность вторичного тока будет весьма короткой. [2]

Зависимость полного тока ионизации кислорода в растворе 14 5М. [3]

Суммарное влияние на интегральный ток электропроводности и эффективности потока кислорода сквозь пленку электролита в 5 М растворе фосфорной кислоты является наиболее оптимальным. [4]

Схема прибора для измерения концентрации натрия в амальгаме. [5]

Действие прибора основано на зависимости интегрального тока короткозамкнутого элемента от концентрации натрия в амальгаме, протекающей через датчнк-разлагатель йь. [6]

С - постоянная, а у2 есть интегральный ток во вторичной цепи. [7]

Следовательно, детальная расшифровка информации, заключенной в измерениях интегральных токов эмиссии, в большинстве случаев невозможна без дополнительных сведений об эмиссионных свойствах отдельных элементов поверхности. В связи с этим желательно, чтобы установки, снабженные каналом регистрации тока эмиссии, наряду с интегральными измерениями обеспечивали возможность оценки эмиссионных характеристик локальных участков поверхности. Этим требованиям удовлетворяет установка, собранная на базе прибора ИМАШ-9 в Проблемной лаборатории металловедения УПИ им. [8]

Наибольшее практическое применение получили линейные эмиттеры, которые за счет большей поверхности ионизации позволяют получить большой интегральный ток при меньших, по сравнению с остриями, полях, в результате чего чувствительность прибора повышается. [9]

В задачу теории пористых электродов входит отыскание распределения скорости процесса по глубине электрода, зависимости интегрального тока от поляризации и структуры электрода и рекомендация оптимальной структуры и толщины электрода. Эта задача чрезвычайно трудная. [10]

Схема ключа особенно благоприятна для возникновения неустойчивости, поскольку при запирании прибора, когда часть эмиттера уже закрылась, интегральный ток коллектора падает, а следовательно, напряжение на коллекторе значительно повышается: сопротивление нагрузки в данном случае играет роль обратной связи, способствующей кумуляции мощности в местах коллекторного перехода, противолежащих открытым участкам эмиттера. Эти участки эмиттера могут располагаться в областях, наиболее удаленных от базовых контактов в случае идеальной структуры транзистора или около определенных технологических дефектов в реальных структурах. [11]

Схема масс-спектрометра. 1 - ионный источник. 2 - пучок ионов. 3 - элентрич. поле цн-линдрич. конденсатора. - 1-пучки из разных ионов с одинаковыми энергиями. 5 - сфокусированный пучок ионов с данным mfq. в - магнитное поле. [12]

При конструировании ионного и с т о-ч н и к а приходится иметь в виду ряд факторов, учет к-рых необходим для получения достаточно точных масс-спектров. Величина интегрального тока источника должна быть не меньше 10-и а, причем в случае регистрации электрич. Наиболее эффективно образуются положит, ионы, поэтому практически применяемые источники являются источниками положит, ионов. [13]

Схема масс-спектрометра. 1 - ионный источник. 2 - пучок ионов. 3 - электрич. поле ци-лпндрич. конденсатора. - I-пучки из разных ионов с одинаковыми энергиями. 5 - сфокусированный пучок ионов с данным т / д в - магнитное поле. [14]

При конструировании ионного и с т о-ч н и к а приходится иметь в виду ряд факторов, учет к-рых необходим для получения достаточно точных масс-спектров. Величина интегрального тока источника должна быть не меньше 10 - п а, причем в случае регистрации электрич. Наиболее эффективно образуются положит, ионы, поэтому практически применяемые источники являются источниками положит, иопов. [15]

Страницы: 1 2