Постоянный ток - коллектор
Cтраница 2
Предельно допустимые значения тока и напряжения обычно задаются для стационарных условий ( например, постоянный ток коллектора), но могут приводиться и для импульсного режима работы. В этом случае оговариваются длительность импульса ta и частота / [ или скважность Q l / ( / ц /) ] следования импульсов. [16]
Таким образом, время включения транзистора сильно снижается с возрастанием коэффициента насыщения или при постоянном токе коллектора - с возрастанием тока базы. [17]
При расчетах иногда необходимы статические параметры ВСт и гвх ст, определяемые соответственно как отношения постоянного тока коллектора к постоянному току базы и постоянного напряжения базы к постоянному току эмиттера. [18]
 |
Характеристики динамических параметров k. / I ( K H Const двх / 2 ( к 1ннсопч1 германиевого транзистора П8. [19] |
Для того чтобы рассчитать коэффициенты усиления каскада на транзисторе по напряжению или мощности, достаточно из соответствующего графика для выбранного режима постоянного тока коллектора / к и сопротивления нагрузки Лн определить значения параметров kt и Лвх и поставить эти значения в расчетные формулы. [20]
 |
Временные диаграммы эмиттерного и. [21] |
Вместо малосигнального коэффициента передачи тока работу транзистора в режиме большого сигнала принято характеризовать статическим коэффициентом усиления по току, представляющим собой отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы. [22]
 |
Схема дифференциального усилителя ( а, его инвертирующего включения ( б и характеристики при инвертирующем включении ( в. принципиальная схема эмит. [23] |
Необходимые показатели дифференциального каскада по обеспечению стабильности нуля и подавлению синфазной помехи достигаются симметричным выполнением его на двух транзисторах VT, VT2, постоянные токи коллекторов которых / к п [; / к п, ( токи исходного режима) определяются источником, близким к источнику тока Jn, задаваемого резистором Лэ цепи эмиттеров транзисторов. [24]
 |
Эквивалентные схемы усилительных ступеней с электронной лампой ( а и транзистором ( б. [25] |
В усилительной ступени с транзистором напряжение коллекторного источника Е2 ( рис. 6.186) делится между сопротивлением нагрузки RH и внутренним сопротивлением транзистора, которое он оказывает постоянному току коллектора. Это сопротивление приближенно равно сопротивлению коллекторного перехода RK для постоянного тока. В действительности к нему еще добавляются небольшие сопротивления тонкого слоя базы и эмиттерного перехода, которые можно не принимать во внимание. [26]
 |
Схемы обратной связи, осуществляемой непосредственным соединением входа и выхода усилителя. [27] |
Термокомпенсирующий элемент и ток через него выбираются так, чтобы напряжение t / т изменялось по тому же закону, что и напряжение на эмиттерном переходе транзистора при постоянном токе коллектора. Необходимые для этого расчеты осуществляются графо-аналитическим методом с использованием вольт-амперных характеристик и их температурных зависимостей. Ориентировочный расчет можно произвести, исходя из того, что для поддержания постоянного тока коллектора при повышении температуры на Г С необходимо уменьшать напряжение смещения эмиттерного перехода на 2 мв. [28]
На нем и на некоторых следующих рисунках знаки постоянных потенциалов указаны в кружочках для отличия от знаков переменных потенциалов. От постоянного тока коллектора на резисторе нагрузки получается падение напряжения со знаком минус на верхнем ( по схеме) конце. В результате возрастает ток эмиттера, а следовательно, и ток коллектора. К появляется еще и переменное напряжение е той же полярностью. Таким образом, на выходе получается отрицательная полуволна переменного напряжения. [29]
Обычно постоянные токи коллектора и эмиттера очень близки друг к другу. При возникновении возбуждения значения постоянных токов коллектора и эмиттера заметно различаются. [30]
Страницы: 1 2 3 4