Cтраница 1
Прямые токи р-п переходов для получения промежуточных цветов свечения определяются по данным, приведенным на рисунке. [1]
Когда и почему зависимость прямого тока р-п перехода от напряжения оказывается линейной. [2]
![]() |
Распределение электронного и дырочного токов в полупроводнике с р-п переходом при прямом смещении. [3] |
Из формулы (1.21) видно, что прямой ток идеального перехода экспоненциально возрастает с ростом прямого напряжения. [4]
На рис. 2.9 показаны вольтамперные характеристики прямого тока р-п переходов в полулогарифмическом масштабе, полученные с учетом падения напряжения в области объемного заряда инжектированных носителей и на сопротивлении толщи полупроводника. [5]
Величина тока рекомбинации п его доля в общем прямом токе перехода зависит от материала, из которого изготовлен переход. При больших прямых смещениях перехода ток рекомбинации не играет заметной роли. [6]
Появление управляющего тока / у, который представляет собой прямой ток перехода ПЗ, вызывает увеличение концентрации неосновных носителей в р2 - области, что резко уменьшает сопротивление этого перехода и падение напряжения на нем. [7]
Как только напряжение на стоке превысит напряжение затвор-исток на величину контактной разности потенциалов р - - перехода ср /, возникает прямой ток перехода и входное еопротивление транзистора резко падает. [8]
Выходной ток в данном случае возрастает. Однако при определенных значениях отпирающего напряжения ( превышающих 0 6 В для кремниевых приборов) возникают существенные прямые токи перехода затвор - канал и входное сопротивление прибора резко падает. В большинстве случаев применения ПТ это явление нежелательно. Поэтому обычно транзисторы с р-и-переходом используют при запирающих входных напряжениях. [9]
Выходной ток в данном случае возрастает. Однако при определенных значениях отпирающего напряжения ( превышающих 0 6 В для кремниевых приборов) возникают существенные прямые токи перехода затвор - канал и входное сопротивление прибора резко падает. В большинстве случаев применения ПТ это явление нежелательно. [10]
Динамическое равновесие токов нарушается, если к переходу подвести напряжение внешнего источника. Включение р-п перехода в непропускном ( обратном) направлении приведет к сущест - венному уменьшению диффузионного тока и не изменит ток проводимости; в цепи установится ток неосновных носителей, практически не зависящий от приложенного внешнего напряжения. Смена полярности источника также не повлияет на величину тока проводимости, но резко увеличит диффузионный ток; в цепи устанавливается ток, образованный главным образом основными носителями и сильно зависящий от величины напряжения внешнего источника. Поскольку концентрация основных носителей на несколько порядков выше концентрации неосновных носителей, ясно, что прямой ток р-п перехода может быть во много раз больше обратного. [11]