Cтраница 2
При повышении температуры изменяются физические константы материала базы, а также резко возрастают токи насыщения переходов Is ( темповой ток фотодиода), / эо и / ко, что приводит к изменению режима по постоянному току особенно у фототранзистора, включенного по схеме с разомкнутой базой. Так, темновой ток фотодиода возрастает с 5 - 10 мка при 20 С до 100 - 150 мка при 70 С, а темновой ток фототранзисторов с 50 - 100 мка при 20 С до 1 000 - 1 700 мка при 70 С. [16]
Для фототранзистора в схеме ОЭ темновой ток / кзо ( Р КкБО - где АКБО - обратный ток коллекторного перехода ( см. § 4.3), который на 1 - 3 порядка превышает темновой ток эквивалентного фотодиода. [17]
Клеммы приставки Е и Пр соединяют с одноименными клеммами электронного блока. На входе приставки установлен полевой МОП-транзистор ( Ti, включенный по схеме истокового повторителя, что обеспечивает высокое входное сопротивление приставки и, следовательно, эффективную работу фотодиода. Резистор R3 служит для ограничения тока, стабилитрон Дг - для защиты затвора полевого транзистора от перенапряжения, резистор Rz предотвращает отпирание транзистора 7 i темновым током фотодиода. [18]
Расчет - по приведенным графикам проводится следующим образом. Для кремниевого фотоэлемента ток насыщения при диодном режиме определяют как темновой ток при напряжении 3 - 5 в. Значения темнового тока, приведенные в табл. 3, являются предельными. В обычных условиях темновые токи фотодиодов примерно в 1 5 - 2 раза меньше указанных. [19]