Cтраница 3
Коллекторный ток скачком возрасти не может из-за инерционных свойств транзистора и обмотки реле. [31]
Коллекторный ток этого транзистора, протекая в цепи базы второго транзистора, откроет его, а последний, в свою очередь, увеличит ток базы первого. В результате коллекторные токи транзисторов будут лавинообразно нарастать, пока оба транзистора не перейдут в режим насыщения. [33]
Коллекторный ток начинает спадать с момента выхода транзистора из насыщения. [34]
Коллекторный ток, при котором возникает вторичный пробой, уменьшается с увеличением обратного напряжения базы. [35]
Коллекторный ток составного п-р - п транзистора является базовым током для составного р-п - р транзистора че-тырехслойной структуры. Благодаря этому току в базовом слое п накапливаются основные носители-электроны. Они вызывают инжекцию дырок из эмиттерного слоя р в базу п, часть которых достигает границы коллекторного перехода за время, равное времени пролета дырок Qnt через базу HI. [36]
![]() |
Схема транзисторного сию-метричного мультивибратора ( а и графическая иллюстрация колебательного процесса ( б. [37] |
Коллекторный ток iK2 в момент времени t 0 падает до значения / K6o2i так как скачок напряжения икЭ1 передается через конденсатор Сх на базу транзистора Т и удерживает его в закрытом состоянии. Потенциал базы транзистора Г2 постепенно уменьшается до нуля. В момент tt происходит новый скачок, во время которого транзистор Т2 открывается, а транзистор 7 закрывается. [38]
Коллекторный ток начинает спадать с момента выхода транзистора из насыщения. [39]
Коллекторный ток каскада оптимизирован, чтобы иметь хорошую шумовую характеристику. [40]
Пока коллекторный ток не достигнет величины ( Vi - V2) / Ri, напряжение Vc остается ниже Vi на величину прямого падения напряжения на Д9; V %, как было показано, лежит в пределах от - 1 до - 2 в. Следовательно, до тех пор, пока почти все 10 ма не будут включены, на диоде Д8 имеется обратное напряжение ( катод при - 0 8 в, анод ниже - 1 в), и он фактически выключен из схемы. В это время все 0 92 ма, требуемые для R, текут через базу, быстро включая транзистор. [41]
Коллекторный ток гк 7 / тт также нарастает по экспоненте. Напря-жение на коллекторе уменьшается. [42]
Минимальный допустимый коллекторный ток / к т) п ограничивается, во-первых, снижением коэффициента передачи по току h - - j, что будет наблюдаться при уменьшении коллекторного тока, и, во-вторых, обратными неуправляемыми токами запертого коллекторного перехода. [43]
![]() |
Схемы измерения основных параметров транзисторов. [44] |
Коллекторный ток запертого транзистора / к-3 измеряется в схеме с общим эмиттером ( рис. 323, г) при включенной между базой и эмиттером батареей с напряжением U6, создающей на базе положительное напряжение смещения. В этом случае транзистор заперт, так как ток / б ничтожно мал. [45]