Cтраница 3
Увеличение коллекторного тока транзистора TI происходит до тех тор, пока ток через туннельный диод не достигнет / р, после чего схема снова опрокидывается, напряжение на диоде Дг увеличивается, процесс повторяется. [31]
![]() |
Одновходовый термокомпенсированный логарифмический усилитель. [32] |
ОУ 153УД5 коллекторный ток транзистора VT1 устанавливается равным UBX / RI. [33]
![]() |
Графический анализ работы усилителя мощности в режиме класса В. [34] |
Так как коллекторные токи транзисторов сдвинуты друг относительно друга на 180, то форма тока и напряжения нагрузки получается близкой к синусоидальной. [35]
При этом коллекторный ток транзистора ничтожно мал, так как обратное сопротивление перехода велико. Ток перехода в этом случае определяется главным образом величиной включенной части переменного сопротивления Ri, так как прямое сопротивление перехода весьма мало. [36]
![]() |
Графический анализ работы усилителя мощности в режиме класса В. [37] |
Так как коллекторные токи транзисторов сдвинуты друг относительно друга на 180, то форма тока и напряжения нагрузки получается близкой к синусоидальной. [38]
С появлением коллекторного тока транзистора Т, когда оба транзистора откроются настолько, что общий коэффициент усиления петли положительной обратной связи достигнет единицы, стадия подготовки заканчивается. [39]
Оценим воздействие коллекторных токов транзисторов 77 и Т2 на первичную обмотку выходного трансформатора. Представим мгновенные значения токов в виде суммы постоянной составляющей и ряда переменных составляющих. [40]
Для поддержания коллекторного тока транзисторов Т и Те на постоянном уровне необходимо с ростом температуры окружающей среды уменьшать напряжение смещения. Для этого параллельно резистору Ri подключен полупроводниковый диод Дг - Д2Б, сопротивление которого уменьшается при повышении температуры. [41]
![]() |
Графический способ определения коэффициента р. [42] |
Малая зависимость коллекторного тока транзистора от величины напряжения эмиттер - коллектор обусловливает сходство характеристик и некоторых других свойств транзисторов и электровакуумных пентодов. [43]
При протекании коллекторного тока транзистора 4VT4 через обмотку намагничивания ( выводы 19, I) трансформатора 4TI в магнитном поле индуктивности запасается энергия. [44]
С появлением коллекторного тока транзистора Ti, когда оба транзистора открываются настолько, что общий коэффициент усиления петли положительной обратной связи достигает единицы, стадия подготовки заканчивается. [45]