Коллекторный ток - первый транзистор
Cтраница 1
Коллекторный ток первого транзистора должен быть значительно больше максимального тока базы второго, тогда режим первого транзистора выбирается без учета тока базы второго. [1]
 |
Деление динистора на две структуры ( а и схема замещения ( б. [2] |
При таком соединении коллекторный ток первого транзистора является током базы второго, а коллекторный ток второго транзистора является током базы первого. [3]
Следовательно, стабильность коллекторного тока первого транзистора в этой схеме может быть в несколько раз выше, чем в схеме ОБ. [4]
Режим питания второго каскада определяется величиной коллекторного тока первого транзистора и сопротивлениями нагрузки первого и второго каскадов. [5]
 |
Схема двухкаскадного усилителя постоянного тока.| Схема задания смещения на транзистор с помощью опорного диода. [6] |
Рассмотрим температурный дрейф для усилителя, приведенного иа рис. 6.1. При увеличении температуры увеличится коллекторный ток первого транзистора, что приведет к уменьшению потенциала базы второго транзистора и, следовательно, к уменьшению его коллекторного тока. Это уменьшение тока может частично или полностью компенсировать температурное приращение тока коллектора второго транзистора. Таким образом, в усилителях с четным числом каскадов осуществляется компенсация теплового дрейфа. [7]
 |
Основные схемы цепей смещения для режима класса А. [8] |
При подключении к основным схемам эмиттерных повторителей ( рис. 1.8) можно не изменять режима первого транзистора и сопротивлений цепи смещения, если ток базы второго транзистора значительно меньше коллекторного тока первого транзистора. [9]
 |
Каскад с трансформаторной связью. [10] |
При протекании по первичной обмотке трансформатора ( рис. 17) переменной составляющей коллекторного тока первого транзистора во вторичной обмотке будет индуцироваться ЭДС сигнала, которая подается на вход второго транзистора. Таким образом трансформатор обеспечивает межкаскадную связь. [11]
Одинаковые изменения напряжений на базах транзисторов р-п - р - и n - p - n - типов приводят к противоположным изменениям их коллекторных токов. Значит, если соединить базы транзисторов р-п - р - и n - p - n - типов, то положительная полуволна напряжения будет вызывать увеличение коллекторного тока второго транзистора и одновременное уменьшение коллекторного тока первого транзистора. [12]
На рис. 16 дана схема с резисторно-емкостной связью. На сопротивлении коллекторной нагрузки RK первого транзистора ( рис. 16) выделяется усиленное напряжение сигнала, которое через разделительный конденсатор Ср подается на базу второго транзистора для дальнейшего усиления. Разделительный конденсатор Ср не пропускает постоянной составляющей коллекторного тока первого транзистора к базе второго транзистора. Сопротивление утечки R6 служит для подачи на базу второго транзистора напряжения смещения. [13]
Мультивибратор с трансформаторным входом, состоящий из двух транзисторов и трансформатора на ферритовом сердечнике ( рис. 3.12, а), работает следующим образом. После подключения напряжения питания Un вследствие неидентичности транзисторов в коллекторной цепи одного из них VT1 ( через соответствующую коллекторную обмотку сок начинает проходить ток iKl когда второй транзистор VT2 еще закрыт. При этом сердечник перемагничивается и в базовых обмотках индуцируются ЭДС. Полярность включения обмоток соБ такова, что одна из этих ЭДС способствует дальнейшему возрастанию коллекторного тока первого транзистора, а другая - закрыванию второго транзистора. Когда рост магнитного потока замедляется из-за насыщения сердечника, индуцированные ЭДС уменьшаются. Сердечник перемагничивается в противоположном направлении. [14]
 |
Схема блокинг-генератора.| Магнитодиодкая ячейка. [15] |
Страницы: 1 2