Толщина - диэлектрик
Cтраница 3
С уменьшением толщины диэлектрика падает пробивное напряжение и при толщине 1 мкм пробивное напряжение не превышает 10 В. Следовательно, увеличение емкости при уменьшении толщины диэлектрика происходит за счет снижения рабочего напряжения. [31]
При уменьшении толщины подзатворных диэлектриков необходимо учитывать не только интерференционные явления, но и влияние изменения высоты потенциального барьера в зависимости от толщины пленки оксида. С уменьшением толщины двуокиси кремния до нескольких нанометров высота эффективного потенциального барьера падает и становится равной для электронов 2 эВ при толщине диэлектрика 2 нм. [32]
Зато благодаря микроскопической толщине диэлектрика при относительно небольшой площади обкладок и объеме они могут обладать большой емкостью. [33]
 |
Сосуд с электродами для. [34] |
Соотношение между толщиной диэлектрика и диаметром образца при испытаниях как на низких, так и на высоких частотах определяется условием, чтобы емкость образца находилась в пределах, допускаемых для измерительной установки; обычно емкость образца составляет не менее 100 пф. [35]
 |
Пленочный резистор.| Пленочный конденсатор [ IMAGE ] - 3. Пленочная катушка. [36] |
В зависимости от толщины диэлектрика конденсаторы бывают тонко - и толстопленочными. Диэлектриком обычно служат оксиды кремния, алюминия или титана. Удельная емкость может быть от десятков до тысяч пикофарад на 1 мм2, и соответственно этому при площади конденсатора в 25 мм2 достигаются номинальные емкости от сотен до десятков тысяч пикофарад. [37]
 |
Принцип устройства электродинамического микрофона ( а и внешний вид микрофонов МД-38 ( б.| Включение конденсаторного микрофона. [38] |
При этом изменяется толщина диэлектрика - слоя воздуха, а следовательно, и емкость. Изменение емкости микрофона вызывает появление зарядных и разрядных токов, которые на сопротивлении R создают переменное напряжение. Переменное напряжение, получаемое на сопротивлении R, очень мало и поэтому необходимо применять большое усиление. Чтобы различные помехи не создали на входе усилителя напряжение такого же порядка, что и от микрофона, обычно в экранирующий корпус вместе с микрофоном помещают одну или две ступени усиления. [39]
 |
Подстроечные конденсаторы с твердым неорганическим диэлектриком. а - керамический плоский подстроечный конденсатор. [40] |
Таким образом, толщина диэлектрика, разделяющего обкладки, складывается из толщины стенки ротора и воздушного зазора между поверхностями ротора и статора. [41]
Здесь t - толщина диэлектрика, и0 - подвижность электронов в диэлектрике, VQ / e - напряжение, приложенное к контакту. При положительных V0 потенциальный барьер исчезает, когда V0 становится равным рх - р2 - В запирающем направлении ток возрастает довольно быстро, пока VQ не достигнет величины порядка kT; затем ток будет линейно расти с напряжением, пока поле не станет достаточно сильным, чтобы уменьшить потенциальный барьер у поверхности, как при эффекте Шоттки, рассмотренном в гл. Результирующая характеристика напоминает кривую В на фиг. [42]
 |
Зависимость угла потерь фторопластовых конденсаторов от напряжения. [43] |
При этом увеличение толщины диэлектрика не дает существенного увеличения напряжения начала ионизации, и значения ионизирующей напряженности снижаются с толщиной. [44]
 |
Зависимость пробивного напряжения и пробивной напряженности твердого диэлектрика от толщины. а - однородное поле. б - неоднородное поле. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5