Толщина - база - транзистор
Cтраница 1
Толщина базы транзистора должна быть много меньше диффузионной длины инжектируемых в нее носителей о ( б1 5 - ь25 мкмс. [1]
В-постоянные, зависящие от свойства полупроводника и толщины базы транзистора. [2]
 |
Изменение относительного коэффициента усиления по току кремниевых транзисторов в зависимости от интегрального потока нейтронов с энергией. 0 1 Мэв. [3] |
Это находит простое физическое объяснение: чем больше толщина базы транзистора, тем большее число нейтронов взаимодействует на своем пути с ядрами атомов вещества и тем больше нарушается структура кристаллической решетки. Следовательно, более стойкими к воздействию радиации являются высокочастотные полупроводниковые приборы, имеющие тонкую базу. [4]
Исходя из принципа действия биполярного транзистора диффузионная длина неосновных носителей должна быть значительно больше толщины базы транзистора. Однако для уменьшения времени рассасывания носителей при работе транзистора в переключающих импульсных схемах, переводящих транзистор из режима отсечки в режим насыщения и обратно, необходим исходный материал с малым временем жизни неосновных носителей заряда, а следовательно, и с малой диффузионной длиной. Таким образом, для изготовления биполярных транзисторов должен быть использован полупроводник с оптимальным значением диффузионной длины неосновных носителей заряда. [5]
В связи с тем, что коллекторный переход практически сосредоточен в области базы, изменения толщины коллекторного перехода при изменениях напряжения на коллекторе приводят к изменению толщины базы. Изменение толщины базы транзистора в результате изменения толщины слоев пространственного заряда электрических переходов лри изменении напряжения на них называется модуляцией толщины базы. [6]
 |
Векторная диаграмма напряжений и токов в транзисторе f граничная частота транзистора. т - время жизни носителей в базе. [7] |
Чем скорее проходят дырки базу, тем меньше значение та и тем выше граничная частота транзистора. Для повышения граничной частоты уменьшают толщину базы транзистора. [8]
Как уже было сказано в гл. III, быстродействие ключей определяется прежде всего эффективным временем жизни и толщиной базы транзистора и, следовательно, необходимая скорость переключения может быть получена соответствующим выбором типа транзистора. [9]
Для изготовления биполярных транзисторов должен быть использован полупроводник с оптимальным значением диффузионной длины неосновных носителей. Исходя из принципа действия биполярного транзистора диффузионная длина неосновных носителей должна быть значительно больше толщины базы транзистора. Однако для уменьшения времени рассасывания при работе транзистора в импульсных схемах необходим исходный материал с малым временем жизни неосновных носителей, а следовательно, и с малой диффузионной длиной. [10]
 |
Принцип работы транзистора. [11] |
Прямое напряжение U уменьшает потенциальный барьер в эмиттерном переходе, и сопротивление п-области эмиттера снижается. Электроны из n - области свободно преодолевают потенциальный барьер и попадают в р-об-ласть базы. Толщина базы транзистора очень мала. [12]
Время задержки определяется временами диффузии носителей к центральному р - - переходу. С ростом интенсивности света время t3 уменьшается вследствие увеличения коэффициента диффузии. Для повышения фоточувствительности и уменьшения времени задержки целесообразно уменьшать толщины баз составляющих транзисторов. [13]
Страницы: 1