Толщина - образующаяся пленка
Cтраница 3
С кинетической точки зрения процесс роста тонкой пленки состоит в последовательном осаждении ионов халькогенида на те участки погруженной в раствор поверхности, которые содержат зародышевые центры. При наличии зародышевых центров скорость осаждения пленки резко возрастает и продолжает увеличиваться до тех пор, пока не станет равной скорости растворения вещества, другими словами, пока ионное произведение раствора не достигнет произведения растворимости. К этому моменту, как показано на рис. 2.10, рост пленки прекращается. Установлено также, что при погружении подложки в раствор до введения комплексообразующего агента толщина образующейся пленки меняется по такому же закону, как и при осаждении пленки на активированную поверхность. [31]
Фильеру располагают над бесконечной лентой на расстоянии - 1 м от верхней точки ведущего барабана. Под ленту устанавливают отполированный валик диаметром - 20 см. Размеры валика позволяют в случае необходимости легко и быстро его заменять, а также точно устанавливать на стенках машины. На оси валика имеется эксцентрик, с помощью которого его можно смещать и тем самым регулировать величину натяжения проходящей над ним бесконечной ленты. Таким размещением фильеры достигают значительного увеличения равномерности распределения пленкообразующего раствора на поверхности ленты и толщины образующейся пленки. Иногда на некотором расстоянии от первого устанавливают такой же второй валик. Это позволяет еще больше увеличить равномерность зеркальной поверхности ленты в месте нанесения на нее раствора. [32]
Весьма вероятно, что многие металлы, в зависимости от условий, дадут соотношения, отличные от приведенных выше. Это объясняется тем, что в каждом отдельном случае общее количество электричества, которое тратится на достижение пассивного состояния, распределяется на неравные доли: одна из них тратится на образование собственно пассивирующего слоя, другая на образование непассивирующих продуктов анодного растворения, причем соотношения между этими частями могут быть самыми различными. Это различие является следствием совершенства или несовершенства образующейся защитной пленки. Образование фазовой защитной пленки на свинце в серной кислоте и галогенидах характеризуется обратной пропорциональностью между количеством электричества и толщиной образующейся пленки. В случае пассивации железа, меди, магния в щелочах более значительная часть количества электричества расходуется на образование непассивирующего слоя в виде гидроокисей и относительно меньшее количество электричества тратится на образование пассивирующих окислов. Все факторы, способствующие пересыщению ( повышение плотности тока, понижение температуры, отсутствие перемешивания), приводят к образованию более тонких и совершенных пассивирующих слоев. Чем более защитными свойствами обладает образующаяся пленка, тем скорее она будет тормозить собственный рост, тем вероятнее, что образованная пленка будет более тонкой. [33]
Оксидирование имеет наибольшее значение для изделий из алюминия и его сплавов. Чаще всего применяют электрохимич. Процесс обычно проводят при постоянном токе. Электролитом служит 20 % - ный р-р H2S04, анодом - оксидируемые детали, катодом - свинцовые пластины. Темп - pa р-ра 20 5 С, анодная плотность тока 0 7 - 2 0 а / ж2, продолжительность процесса 20 - 60 мин, толщина образующейся пленки 5 - 25 мкм. После промывки и пассивирования 10 % - ным кипящим р-ром К2Сг207 в течение 20 мин или уплотнения стенок пор в подкисленной горячей воде изделия подвергают горячей сушке. [34]
Оксидирование имеет наибольшее значение для изделий из алюминия и его сплавов. Чаще всего применяют электрохимич. Процесс обычно проводят при постоянном токе. Электролитом служит 20 % - ный р-р H2S04, анодом - оксидируемые детали, катодом - свинцовые пластины. Темп - pa р-ра 20 5 С, анодная плотность тока 0 7 - 2 0 а / л 2, продолжительность процесса 20 - 60 мин, толщина образующейся пленки 5 - 25 мкм. После промывки и пассивирования 10 % - ным кипящим р-ром К2Сг207 в течение 20 лемм или уплотнения стенок пор в подкисленной горячей воде изделия подвергают горячей сушке. [35]
 |
Параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов. [36] |
Способ эпитаксии из газовой фазы обеспечивает получение пленок более высокого качества, однако эпитаксия из жидкой фазы не требует сложных установок и более технологична. Промышленное изготовление тонких пленок производят методом изотермической эпитаксии из переохлажденного расплава. Шихту, состоящую из смеси феррита-граната и растворителя ( чаще всего РЬО В2Оз), в платиновом тигле помещают в печь и выдерживают в ней при температуре 1100 - 1150 С в течение суток до полной гомогенизации расплава. После охлаждения расплава до температуры, соответствующей началу кристаллизации ( 800 - 1000 С), в него погружают подложку, предварительно подогретую до той же температуры для исключения неконтролируемого самопроизвольного роста пленки. Подложку вращают в расплаве. При этом происходит диффузионный перенос кристаллизуемого вещества через граничный слой. Толщина образующейся пленки примерно пропорциональна времени выращивания. Частота вращения ( 50 - 250 об / мин) определяет скорость выращивания пленки и ее однородность. Далее подложку с наращенной пленкой заданной толщины медленно вынимают из печи. Эпитаксиальный метод позволяет выращивать пленки с большой полезной площадью при хорошей воспроизводимости. Качество пленок зависит в основном от качества подложки. Подложки изготавливают из немагнитных гранатов, чаще всего из монокристаллических пластин гадолиний-галлиевого граната GdsGasOig. Для этого монокристалл разрезают алмазными дисками перпендикулярно оси [111] на тонкие пластины 0 5 - 1 мм, которые тщательно полируют, ибо структура наращиваемой пленки воспроизводит дефекты подложки. Толщину подложки доводят до 0 3 мм. [37]
Страницы: 1 2 3