Cтраница 5
Движение носителей заряда в них ограничено слоями GaAs, слои AlvGai xAs являются потенц. Если толщина последних не очень мала, гетероструктуру можно рассматривать как набор не свяаанных между собой пленок GaAs. Размерное квантование в достаточно тонких ( 10 - 7 - 10-в см) слоях GaAs приводит, в частности, к существенному изменению оптич. Аналогичные особенности обнаружены в спектрах люминесценции. [61]