Толщина - слой - пространственный заряд
Cтраница 1
Толщина слоя пространственного заряда зависит от плотности поверхностных уровней и от концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике. [1]
 |
Отдельные п - и р-области ( а, объединенные п - и р-области ( б.| Распределение пространст - - ч. [2] |
При этом толщина слоя пространственного заряда уменьшается, появляются потоки основных носителей через слой пространственного заряда, его проводимость увеличивается и возникает электрический ток в цепи. Такие напряжение и ток называют прямыми. [3]
Когда температура близка к абсолютному нулю, толщина слоя пространственного заряда приближается к размеру атомов, из которых построено данное тело. Двойной электрический слой в данном случае представляет собой плоский конденсатор, расстояние между пластинами которого равно межатомному расстоянию в соприкасающихся телах. Такое расположение избыточных зарядов соответствует образованию полярных или ионных химических связей между поверхностными атомами находящихся в контакте тел. [4]
Поскольку величина электростатического потенциала неодинакова по всей толщине слоя пространственного заряда, то концентрации избыточных носителей заряда - электронов и дырок - не равны между собой. Следовательно, скорости поверхностной рекомбинации для электронов и дырок различны. [5]
На основании сказанного можно определить значение равновесной контактной разности потенциалов для случая, когда толщина соприкасающихся тел значительно превосходит толщину слоя пространственного заряда. [6]
Если на р-область подается напряжение U, отрицательное по отношению к л-области, потенциальный барьер к возрастает на U, а толщина слоя пространственного заряда увеличивается. Проводимость слоя пространственного заряда из-за почти полного отсутствия свободных носителей в нем остается низкой и через р-л-переход проходит незначительный ток. Такие напряжение и ток называют обратными. [7]
Принцип действия полевых транзисторов с затвором Шоттки рассмотрен ранее в разделе 3.4. Усиление по напряжению и мощности в этих приборах основано на управлении током канала за счет изменения ширины канала и достигается в результате использования эффекта изменения толщины слоя пространственного заряда диода Шоттки при приложении напряжения к управляющему электроду. [8]
 |
Отдельные п - и р-области ( а, объединенные п - и р-области ( б.| Распределение пространст - - ч. [9] |
У Заряды, расположенные по обе стороны от границы п - и р-областеи, численно равны друг другу вследствие электрической нейтральности полупроводника в целом, т.е. выполняется равенство Nadn - / VA dp, где dn и dp - толщина слоев пространственного заряда в полупроводнике п - и р-типа. Толщина слоя пространственного заряда в зависимости от уровней легирования составляет десятые доли - единицы микрометра. [10]
 |
Многосекционная модель Линвилла для диода.| Пространственный заряд р-га-перехоца. [11] |
Емкость Сь, показанная на рис. 4.18, является барьерной емкостью р - - перехода. Толщина слоя пространственного заряда р-п-перехода зависит от величины и направления напряжения на переходе. С увеличением прямого напряжения от нуля до некоторого значения толщина этого слоя уменьшается. При увеличении обратного напряжения р-п-переход расширяется. Барьерная емкость определяется как отношение изменения пространственного заряда к изменению напряжения. [12]
Обедненный носителями заряда слой пространственного заряда обладает электрической емкостью, так как он подобен диэлектрику, заключенному между двумя проводящими обкладками, роль которых выполняют л - и р-области, примыкающие к слою пространственного заряда. Поскольку толщина слоя пространственного заряда зависит от напряжения U, емкость р-л-перехода также зависит от U: при изменении Uor прямого к обратному емкость падает. [13]
Емкость не зависит от общей толщины слоя диэлектрика. Определение Cj позволяет рассчитать толщину слоя пространственного заряда и концентрацию ионизированных доноров. При очень низких температурах ионизируется мало примесей. Поэтому Ль становится довольно большим. [14]
Здесь, однако, предполагается, что подвижности дырок и электронов в произвольно тонком слое полупроводника те же, что и в объеме. Это приближение более или менее пригодно до тех пор, пока толщина слоя пространственного заряда не станет сравнимой со средней длиной свободного пробега носителей. Величина последней порядка 10 - 5 см, что не намного меньше X, так что приближение не слишком хорошее. Соответственно можно было бы ожидать, что истинная величина поверхностной проводимости окажется заметно меньше определяемой ниже. [15]
Страницы: 1 2