Cтраница 2
В [8.56] показано, что фактором, уменьшающим разрешающую способность модулятора ПРИЗ с ВОП, является расфокусировка изображения в объеме ФРК. Такая расфокусировка происходит за счет того, что записывающий свет, выходя из ВОП, образует конус лучей, имеющий угол при вершине в несколько десятков градусов. При больших рабочих напряжениях, поданных для записи на электроды ПВМС, толщина слоя кристалла, в котором происходит формирование фотоинду-цированного заряда, достигает десятков и даже сотен микрометров. Поэтому расфокусировка записываемого изображения оказывается весьма существенной. Как видно из рис. 8.15, с уменьшением напряжения разрешающая способность модулятора увеличивается. Это связано, в частности, с уменьшением толщины фотоиндуциро-ванного заряда, что ведет к ослаблению влияния расфокусировки записываемого изображения. [16]
Эту область называют узким горлом, поскольку прохождение через нее электронов, возбуждаемых светом, затруднено. Подходя к узкому горлу, фотоэлектроны: замедляются и рекомбинируют. Происходит компенсация наиболее удаленной от электрода части положительного заряда там, где образуется узкое горло. Это ведет к тому, что толщина положительно заряженного слоя кристалла уменьшается и в свою очередь область узкого горла сдвигается в направлении отрицательного электрода. Одновременно вблизи электрода продолжает увеличиваться плотность положительного заряда. [17]
Далее горячие кристаллы ( - 100 С) перхлората аммония выгружают и по наклонному желобу подают в туннельную сушилку. Для равномерного распределения кристаллов поперек сушилки применяют специальный вибрационный питатель. За счет вибрации сушильных лотков ( противней) кристаллы передвигаются вдоль сушилки. Амплитуда вибрации регулируется электронным прибором таким образом, что может изменяться толщина слоя кристаллов и время их пребывания в сушилке. Нагретый воздух пропускают также противотоком над лотками для удаления влаги, испаряющейся из материала. Воздух далее отсасывают из сушилки в скруббер. [18]
В разделе 4.6 было показано, что в геометрии эксперимента, соответствующей использованию ФРК в ПВМС, в кристаллах типа BSO при записи изображений у отрицательного электрода формируется положительно заряженный слой. Таким образом, при неоднородном освещении кристалла записывающим светом как толщина слоя, так и плотность заряда в нем оказываются пространственно промодулированными. В разделе 7.5 будет рассмотрен пример вычисления амплитуды модуляции считывающего света для конкретной модели распределения заряда в кристалле. Здесь мы качественно проиллюстрируем, как амплитуда модуляции считывающего света изменяется в процессе записи периодической решетки в ПВМС, использующем поперечный электрооптический эффект. Для простоты предположим, что записывается периодическая решетка в виде меандра. При записи в кристалле у отрицательного электрода появляется положительный заряд. От величины экспозиции записывающим светом W0 зависят плотность заряда и толщина заряженного слоя кристалла, которые определяют напряженность поперечных компонент электрического поля и, следовательно, амплитуду модуляции считывающего света А. [19]