Толщина - слой - вещество
Cтраница 1
 |
Кювета переменной толщины. [1] |
Толщина слоя вещества определяется высотой цилиндра. Для получения тонких слоев вещества ( менее 1 мм) используют кварцевые вкладыши, представляющие собой параллельные цилиндрические пластинки, которые вставляются внутрь стакана. Толщина слоя вещества при использовании вкладыша определяется разностью толщин его и стакана. Использование разборных кювет дает возможность варьировать толщины слоя от сотых долей миллиметра до десятков сантиметров. [2]
Если толщина слоя вещества, через который проходят частицы, такова, что не происходят существенные потери энергии по отношению к начальной энергии, то поглотитель считается тонким. [3]
 |
Самофокусировка интенсивного пучка в нелинейной среде. [4] |
Оценим толщину слоя вещества / Г ( 1), необходимую для пересечения крайних лучей с осью пучка внутри нелинейной среды. [5]
 |
Самофокусировка интенсивного пучка в нелинейной среде. [6] |
Оценим толщину слоя вещества / сф, необходимую для пересечения крайних лучей с осью пучка внутри нелинейной среды. Благодаря нелинейной добавке к показателю преломления п А2 появляется разность фаз между колебаниями на оси пучка и на его краях. Амплитуду поля на оси пучка обозначим через АО, а на краях будем считать ее нулевой. [7]
Определить толщину слоя вещества, которая необходима для ослабления света: 1) в 2 раза; 2) в 5 раз. [8]
I - толщина слоя вещества, с - его концентрация, [ а ] - постоянная вращения ( в отличие от постоянной вращения для кристаллов а, этот коэф. [9]
 |
Зависимость числа частиц от глубины проникновения в вещество пучка а протонов или ионов. б электронов. [10] |
Максимальным пробегом называется толщина слоя вещества Л, в котором задерживаются все частицы пучка. [11]
 |
Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода. [12] |
Величина а1 равна толщине слоя вещества, при прохождении через который интенсивность света уменьшается в е раз. Поглощение света полупроводником может быть связано с различными процессами: возбуждением электронов из валентной зоны в зону проводимости, изменением колебательной энергии атомов решетки и др. Каждому из этих процессов будет соответствовать поглощение света полупроводником в определенной области спектра. [13]
Величина а 1 равна толщине слоя вещества, при прохождении через который интенсивность света уменьшается в е раз. Поглощение света полупроводником может быть связано с различными процессами: возбуждением электронов из валентной зоны в зону проводимости, изменением колебательной энергии атомов решетки и др. Каждому из этих процессов будет соответствовать поглощение света полупроводником в определенной области спектра. [14]
В экспериментах обычно определяют значения толщины слоя вещества и давления кислорода, при которых еще возможно распространение пламени от локального источника зажигання по всему слою. [15]
Страницы: 1 2 3 4