Толщина - базовый слой
Cтраница 1
Толщина базового слоя, разделяющего эмиттерный и коллекторный переходы, на рисунке значительно преувеличена. У современных приборов толщина базы имеет порядок единиц микрометров. Кроме того, концентрацию легирующей примеси базы делают на два-три порядка меньше концентрации примесей в эмиттерной и коллекторной областях. [1]
Толщину базового слоя, где перенос носителей тока происходит диффузионным путем, удается сделать не на много меньшей, чем у сплавных триодов. [2]
Поскольку толщина базового слоя может быть сделана равной от 50 до 100 мкм, граничная частота сплавных транзисторов fgl / T6 сравнительно невысока и составляет несколько мегагерц. [3]
Сопротивление базы может быть уменьшено за счет увеличения длины эмиттера и толщины базового слоя. Увеличение длины эмиттера ( при уменьшении его ширины), как способ уменьшения RQ, широко используется на практике и пределы его применения ограничиваются, в основном, техническими причинами. Известны ( например, [87]) мощные запираемые тиристоры с длиной эмиттера 60 см при ширине его 300 мкм. [5]
Kp W, и, например, для получения Unp 20 / се необходима толщина базового слоя Wl мм. [6]
При изменении напряжения на коллекторе сопротивление эмиттера зависит также от напряжения коллектора, поскольку последнее изменяет толщину базового слоя, а следовательно, и сопротивление обратной связи. [7]
При изменении напряжения на коллекторе сопротивление эмиттера зависит также от напряжения коллектора, так как последнее изменяет толщину базового слоя, а следовательно, и сопротивление обратной связи. [8]
 |
Распределение примесей в диффузионной р-п-р-п структуре. [9] |
Обычно для различных типов силовых тиристоров толщина катодного слоя WПг колеблется в пределах от 10 до 30 мкм, толщина базового слоя WP, - от 25 до 100 мкм, толщина анодного слоя WPl - от 50 до 125 мкм, а толщина базового слоя Wn-от 100 - 150 мкм для низковольтных до 500 - 700 мкм для высоковольтных тиристоров. Толщины диффузионных слоев pit pz и п2 регулируются обычно временем и температурой диффузии соответствующих примесей, а толщина базового слоя Hi - выбором толщины исходной кремниевой пластины. Расчет толщины исходной кремниевой пластины проводят обычно следующим образом. Сначала определяют значение удельного сопротивления исходного кремния, удовлетворяющее требуемому значению напряжения переключения тиристора. [10]
Так, например, в конструкции так называемых поверхлостно-барьерных триодов путем электрохимического вытравливания двух лунок с противоположных сторон базы удается уменьшить толщину базового слоя полупроводника до 5 мк. Затем тем же электромеханическим способом на поверхность лунок наносится тончайший слой индия. [11]
Кроме того, градиент примесей у эмиттерного перехода оказывается приблизительно равным 10 21 см-4, а пространственный заряд, обусловленный этим градиентом, распространяется в область базы примерно на 2 10 - 5 см. Толщина базового слоя, на которую распространяется тормозящее поле, составляет AR от ширины базового слоя, или 7 6 10 - 5 см. В результате одна четвертая часть области R занята пространственным зарядом и ею можно пренебречь. [12]
Обычно для различных типов силовых тиристоров толщина катодного слоя WПг колеблется в пределах от 10 до 30 мкм, толщина базового слоя WP, - от 25 до 100 мкм, толщина анодного слоя WPl - от 50 до 125 мкм, а толщина базового слоя Wn-от 100 - 150 мкм для низковольтных до 500 - 700 мкм для высоковольтных тиристоров. Толщины диффузионных слоев pit pz и п2 регулируются обычно временем и температурой диффузии соответствующих примесей, а толщина базового слоя Hi - выбором толщины исходной кремниевой пластины. Расчет толщины исходной кремниевой пластины проводят обычно следующим образом. Сначала определяют значение удельного сопротивления исходного кремния, удовлетворяющее требуемому значению напряжения переключения тиристора. [13]
Создан на основе использования высокоспециализированной техники производства, в которой употребляются точное электрохимическое травление металла и покрытие для обеспечения малых допусков на ширину базы. Благодаря этому уменьшается толщина базового слоя и поэтому увеличивается усиление мощности на высоких частотах, p - n - i - p - и n - p - i - n - плоскостные триоды отличаются от обычных р-п - р и п-р-п-шюскостных триодов тем, что базовые и коллекторные области разделены толстым обедненным слоем полупроводника i-типа. Широкий коллекторный обедненный слой обеспечивает относительно небольшую коллекторную емкость и допускает высокое обратное пробивное напряжение, а также позволяет сделать область базы чрезвычайно тонкой и низкоомной, что создает одновременно низкое распределенное сопротивление базы и очень высокую критическую частоту / кр. [14]
Кривые при постоянных значениях & R указывают на ту часть толщины базового слоя, за которой внутреннее поле является тормозящим. [15]
Страницы: 1 2