Толщина - плотный слой
Cтраница 1
 |
Схема двойного электрического слоя. [1] |
Толщина плотного слоя имеет порядок ионного диаметра. Толщина диффузного слоя зависит от температуры и концентрации. Таким образом е, с ростом концентрации происходит сжатие диффузного слоя. [2]
 |
Двойной электрический слой и изменение в нем потенциала. [3] |
Толщина плотного слоя Гельмголь-ца принимается равной диаметру про-тивоиона. Эту часть ДЭС можно рассматривать как плоский конденсатор, потенциал которого с увеличением расстояния от поверхности снижается линейно. По теории Гун - Чепмена противоионы диффузной части ДЭС распределяются в поле поверхностного потенциала в соответствии с законом Больцмана. Теория показывает, что потенциал в диффузной части слоя снижается с расстоянием по экспоненте. [4]
Толщина первичного плотного слоя отложений невелика, она зависит от температуры поверхности и может колебаться в пределах от 1 до 10 мм. На трубах водяного экономайзера при максимальных температурах продуктов сгорания и металла труб, обычно составляющих 440 и 330 С, толщина этих отложений достигает лишь десятых долей миллиметра; на трубах переходной зоны при уровне указанных температур 700 и 360 С она равна 0 5 мм, на трубах конвективного промежуточного перегревателя, температура которого доходит до 600 С, а температура газов - 1000 С, толщина плотных отложений достигает 5 - 7 мм. С укрупнением золы и увеличением скорости потока в связи с повышением изнашивающего действия уменьшается интенсивность роста отложений, при этом плотность их возрастает. Первичные отложения растут очень медленно и поэтому не представляют непосредственную опасность интенсивного неограниченного шлакования конвективных поверхностей нагрева. [5]
Каждый цикл очистки вызывает прирост толщины плотного слоя на определенную величину. [6]
Между тем возможны случаи, когда при увеличении давления толщина плотного слоя остатка г /, должна расти. Рассмотрим, например, случай, когда имеется слой вязкой жидкости или слипшихся частиц и когда унос остатка происходит в результате разрыва вязкой пленки при выходе пузырька газа на поверхность. При таком режиме унос остатка пропорционален потоку пузырьков П и квадрату радиуса пузырьков. Чтобы толщина слоя остатка была стационарной, она должна быть не слишком большой - - такой, чтобы на длине yf еще происходило существенное расширение пузырька. [7]
 |
Зависимость Z ( х для и. 1 03 ( кривая / и х. 1 15 ( кривая 2. 1 и 2 - соответствующие кривые, рассчитанные по теории Гун. [8] |
Кирквуда заведомо неприменим, эффективная толщина диффузной области становится настолько малой по сравнению с толщиной плотного слоя, что ею можно пренебречь. [9]
Строение плотного слоя зависит от того, сохраняется ли гид-ратная оболочка иона при его адсорбции или ион при его адсорбции частично дегидрирован. Толщину плотного слоя d определяют как расстояние от поверхности до плоскости, проходящей через центры ближайших к поверхности противоионов. Эту плоскость называют плоскостью наибольшего приближения. [10]
Скорость массопереноса, характеризуемая коэффициентами диффузии газов в конденсированных средах, невелика и обычно на несколько порядков меньше, чем в объемной газовой фазе или при свободномолекулярном течении. Поэтому для получения мембран удовлетворительной проницаемости стремятся уменьшить толщину плотного слоя, который принято называть селективным или диффузионным. Механическая прочность и другие технологические свойства мембраны обеспечены пористым слоем подложки толщиной 30 - 500 мкм, диффузионное сопротивление которого незначительно. [11]
В работе [67] анализ строения плотного слоя при адсорбции ТМ был проведен на основе более общих представлений, учитывающих изменение диэлектрической постоянной и толщины плотного слоя, а также адсорбционное вытеснение молекул растворителя с поверхности электрода при адсорбции ТМ. Отношение ( 1эф / 6) е1 в ДМСО и ДМФ резко уменьшается, а в спиртах и воде несколько возрастает с ростом положительного заряда электрода. Анализ этих закономерностей привел к выводу, что в среде ДМФ и ДМСО большую роль играет эффект ориентационной поляризации в области точки нулевого заряда висмута, отражающей взаимодействие в плотном слое адсорбированных молекул ТМ с диполями ДМФ и ДМСО, тогда как толщина плотного слоя 6 изменяется мало. [12]
Плотная часть двойного слоя 3 ( слой Гельмголъца) образована ионами, непосредственно связанными с поверхностью полупроводника. Толщина этого слоя определяется размером ионов и в среднем составляет - 10 нм. В диффузной части двойного слоя 2 ( слой Гуи) ионы связаны менее жестко, они могут свободно передвигаться. Толщина слоя Гуи в несколько раз может превышать толщину плотного слоя. Существующее в слое Гуи электрическое поле вызывает неоднородности в распределении ионов, в то время как за счет процесса диффузии концентрация их выравнивается. Конкуренция этих двух процессов приводит к установлению некоторого равновесного распределения ионов. [13]
В работе [67] анализ строения плотного слоя при адсорбции ТМ был проведен на основе более общих представлений, учитывающих изменение диэлектрической постоянной и толщины плотного слоя, а также адсорбционное вытеснение молекул растворителя с поверхности электрода при адсорбции ТМ. Отношение ( 1эф / 6) е1 в ДМСО и ДМФ резко уменьшается, а в спиртах и воде несколько возрастает с ростом положительного заряда электрода. Анализ этих закономерностей привел к выводу, что в среде ДМФ и ДМСО большую роль играет эффект ориентационной поляризации в области точки нулевого заряда висмута, отражающей взаимодействие в плотном слое адсорбированных молекул ТМ с диполями ДМФ и ДМСО, тогда как толщина плотного слоя 6 изменяется мало. [14]
Страницы: 1