Толщина - полупроводниковый слой
Cтраница 1
Толщины полупроводникового слоя и коммутационных шин ( а в итоге высота термоэлемента в целом) выбираются близкими к оптимальным с учетом особенностей конструкции и технологий их изготовления, требований к прочности, надежности и ресурсу работы. [1]
 |
Конструкция тонкопленочного транзистора. [2] |
Толщина полупроводникового слоя обычно не превышает 1 мкм, а расстояние между истоком и стоком находится в пределах от 5 до 50 мкм. [3]
Когда толщина полупроводникового слоя ( или размер кристаллита) становится сравнимой со средней длиной свободного пробега носителей заряда в пленке, рассеяние носителей на ее поверхности приводит к снижению подвижности. Например, если подвижность носителей заряда в массивном материале составляет 10Э см2 / ( В-с) и эффективная масса 0 lw0, то среднее время между столкновениями приблизительно равно 5 - 10 - 14 с, а средняя длина свободного пробега 15 нм. Эта цифра указывает на порядок толщины пленки, при которой становится важным учет эффектов рассеяния. Для пленок, толщина которых превышает 100 нм, эти эффекты обычно незначительны. [4]
Коэффициент вторичной эмиссии сурьмяно-цезиевого эмигтера зависит от толщины полупроводникового слоя, возрастая с увеличением толщины примерно до 40 нм и затем снова снижаясь. [5]
Улучшение характеристик ТЭГ в результате разнесения при неизменной толщине полупроводникового слоя достигается вследствие резкого увеличения перепада температур на термоэлементах. Однако для каждого полупроводникового вещества имеется ограниченная область температур, в которой оно может быть эффективно использовано. [6]
 |
Внешние электрическая ( а и тепловая ( б характеристики термогенератора. [7] |
Таким образом, удельная мощность ТЭГ максимальна, а поверхность термоэлементов при заданной мощности минимальна при толщине полупроводникового слоя 8р, определяемой по формуле (4.2), когда тепловые сопротивления конструкции и термоэлементов равны. При этом перепад температур между спаями термоэлементов составляет половину перепада температур между теплоносителями. [8]
Полевой транзистор представляет собой трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором имеются следующие области: исток, затвор, канал и сток, а управление выходным током осуществляется за счет изменения толщины проводящего полупроводникового слоя. [9]
 |
Частотно-температурные характерпстики конденсаторов ЭТО-2. [10] |
Это объясняется относительно большим удельным сопротивлением электролита ( более слабой концентрацией кислоты) в алюминиевых конденсаторах вследствие меньшей химической стойкости алюминия по сравнению с танталом я относительно малым удельным сопротивлением и малой толщиной полупроводникового слоя в оксидно-полупроводниковых конденсаторах. [11]
 |
Спектральные характеристики ФС-А1.| Вольтамперные характеристики сернисто-свинцовых фотосопротивло-ний при различных световых потоках.| Частотные характеристики фотосопротивлений. [12] |
Весьма характерно, что внутреннее сопротивление описываемых приборов в принципе может быть различным, а между тем характер спектральной чувствительности у них при равных толщинах полупроводникового слоя один и тот же. При уменьшении толщины полупроводникового слоя максимум чувствительности несколько смещается в сторону коротких волн и, наоборот, с увеличением толщины слоя этот максимум смещается в сторону длинных волн. [13]
Как правило, толщина подложки значительно превышает толщину полупроводникового слоя и ее деформацией можно пренебречь. [14]
Страницы: 1