Толщина - диффузионный слой
Cтраница 4
Толщина диффузионного слоя одинакова на любых участках диска, а потому имеется всего одна кривая распределения концентрации реагирующего вещества в зависимости от у. Это свойство вращающегося дискового электрода называется равнодоступностью его поверхности. [46]
 |
Зависимость концентрации реагирующего вещества от расстояния до поверхности электрода при отсутствии тока ( / и при пропускании катодного тока ( 2. [47] |
Толщина диффузионного слоя и изменение концентрации ионов вблизи электрода при прохождении тока могут быть определены при помощи оптических методов, например по изменению показателя преломления раствора. Для этой цели используется метод лазерной интерферометрии. [48]
Толщина диффузионного слоя при естественной конвекции значительно превышает толщины диффузионных слоев при вынужденной конвекции. [49]
 |
Различные типы вращающихся электродов в разрезе. [50] |
Толщина диффузионного слоя одинакова на любых участках диска, а потому имеется всего одна кривая распределения концентрации реагирующего вещества в зависимости от у. Это свойство вращающегося дискового электрода называется равнодоступностью его поверхности. Как видно из соотношения (34.1), равнодоступность является следствием компенсации двух эффектов: возрастания линейной скорости движения точки на диске с ростом г и одновременного удаления от точки набегания. [51]
Толщина диффузионного слоя в этом случае существенно отличается от толщины диффузного слоя, возникающего в равновесных условиях под влиянием электрического поля двойного слоя. Толщина последнего при не очень низких концентрациях равна 1 - 7 - 10 нм. В равновесных условиях концентрация ионов в прилегающей к двойному слою ( включая его диффузную часть) зоне раствора одинакова и равна концентрации в общем объеме. При протекании электрохимического процесса концентрация разряжающихся ионов изменяется на расстоянии 6 10 - 2 - 10 - 3 см, представляющем собой диффузионный слой. [52]
 |
Схема установки для очистки вещества методом Чо-хральского.| Фронт кристаллизации в методе вытягивания. [53] |
Толщина диффузионного слоя обычно лежит в пределах 0 001 - 0 1 см, уменьшаясь с интенсивностью перемешивания расплава. В отсутствие перемешивания перенос примеси в глубь расплава и основного вещества к фронту кристаллизации осуществляется медленно протекающими процессами конвекции и диффузии. [54]
Толщина диффузионного слоя б зависит главным образом от того, находится ли раствор в покое или перемешивается, а также от того, каков режим ( ламинарный или турбулентный) и какова скорость движения жидкости по отношению к поверхности кристалла. В спокойном растворе толщина диффузионного слоя максимальна. Чем интенсивнее перемешивание, тем тоньше слой раствора, прилегающий к неподвижной поверхности кристалла и остающийся в покое благодаря сцеплению молекул растворителя с поверхностью кристалла. В этом неподвижном слое перемешивание отсутствует и растворяемое вещество распространяется от слоя, прилегающего к кристаллу, к его наружной поверхности только в результате диффузии. [55]
Толщина диффузионного слоя 6 зависит от ряда условий, в том числе от скорости вращения электрода и вязкости раствора. Для практических целей важно, чтобы б была как можно меньше; до известной степени это достигается увеличением скорости вращения электрода. [56]
Толщина диффузионного слоя зависит от природы реагента, состава раствора, температуры, и других факторов. Основное влияние на толщину диффузионного слоя оказывает скорость движения жидкой фазы относительно электрода. [57]
Толщина диффузионного слоя б зависит от ряда условий, в том числе от скорости вращения электрода и вязкости раствора. Для практических целей важно, чтобы б была как можно меньше; до известной степени это достигается увеличением скорости вращения электрода. [58]
Толщина диффузионного слоя не исчезающе мала по сравнению с радиусом капли, поэтому кривизной поверхности нельзя пренебречь. При выводе же уравнения сделано допущение, что диффузия происходит к растущей, по плоской поверхности. [59]
 |
Зависимость предела прочности стекла при изгибе от глубины диффузионного слоя. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5