Малая толщина - база
Cтраница 1
Малая толщина базы между р-п - пере хода ми обусловливает появление у прибора новых свойств, не присущих диодной сборке. Схематический разрез транзистора показан на рис. 3.14, а. Для области р электроны являются неосновными носителями, их концентрация в базе при отсутствии внешних напряжений на электродах транзистора очень мала, равна о ( рис. 3.14, б) и примерно постоянна по всей ширине базы. [1]
Малая толщина базы между переходами обусловливает появление у прибора новых свойств, не присущих диодной сборке. Схематический разрез транзистора показан на рис. 3.12, а. Для области р электроны являются неосновными носителями, их концентрация в базе при отсутствии внешних напряжений на электродах транзистора очень мала, равна п0 ( рис. 3.12 6) и примерно постоянна по всей ширине базы. [2]
Вследствие малой толщины базы большая часть дырок, инжектированных эмиттером, достигает коллектора. Ток эмиттера / э лишь незначительно превышает ток коллектора. [3]
Ввиду малой толщины базы, несмотря на небольшую скорость диффузионного перемещения дырок, по пути к коллектору успевает рекомбинировать ( 4 на рис. б) весьма малая доля общего количества дырок, впрыснутых эмиттером. [4]
Вследствие малой толщины базы ( порядка 100 А) время пролета носителей через нее очень мало ( Ю-13... [5]
В таких структурах трудно получить малую толщину базы, из-за чего получаются малые коэффициенты усиления по току и невысокие граничные частоты. [6]
Они имеют параметры, близкие к идеальным: прямое сопротивление из-за малой толщины базы составляет единицы ом; обратный ток благодаря хорошей защите перехода имеет порядок долей наноампера при обратном напряжении до 100 В. Введение в базу атомов золота обеспечивает малое время восстановления порядка единиц наносекунд. Эти диоды отличаются высокой стабильностью параметров и хорошей надежностью. [7]
Кроме того, улучшению частотных свойств диффузионных фотодиодов по сравнению со сплавньши способствует малая толщина базы. [8]
Чтобы разобраться в физическом смысле этого результата, вспомним, что в данном случае из-за малой толщины базы процесс рекомбинации носителей в ее объеме уже не является определяющим. Главным теперь оказывается уход неосновных носителей заряда на омический переход с последующей рекомбинацией. Отсюда следует, что время существования заряда в базе теперь будет определяться временем пролета носителей заряда через базу диода. [9]
Чтобы разобраться в физическом смысле этого результата, вспомним, что в данном случае из-за малой толщины базы процесс рекомбинации носителей в ее объеме уже не является определяющим. Главным теперь оказывается уход неосновных носителей заряда на невыпрямляющий контакт с последующей рекомбинацией. Отсюда следует, что время существования заряда в базе теперь будет определяться временем пролета носителей заряда через базу диода. [10]
Чтобы разобраться в физическом смысле этого результата, вспомним, что в данном случае из-за малой толщины базы процесс рекомбинации носителей в ее объеме уже не является определяющим. Главным теперь оказывается уход неосновных носителей заряда на омический переход с последующей рекомбинацией. Отсюда следует, что время существования заряда в базе теперь будет определяться временем пролета носителей заряда через базу диода. [11]
Таким образом, транзистор, предназначенный для работы в диапазоне высоких частот, должен иметь малую толщину базы, малое объемное сопротивление базы и малую емкость коллектора. Эти требования противоречивы: уменьшение толщины базы увеличивает сопротивление гб; уменьшение сопротивления гб ( увеличение концентрации примесей в базе) увеличивает емкость коллекторного перехода Ск. Поэтому предельные частоты бездрейфовых транзисторов обычно относительно низки. [12]
В биполярных транзисторах очень существенным механизмом проводимости является движение нессновных носителей в теле базы, которое подчиняется законам диффузии. Несмотря на малую толщину базы, время диффузии неосновных носителей заряда в ней бывает заметным по сравнению с периодом колебаний часто даже не очень высокой частоты. Поэтому в схемах с биполярными транзисторами необходимо учитывать оба механизма влияния частоты: влияние емкостей и изменение свойств самого триода. [13]
Тем не менее, рассмотренная структура дрейфового транзистора имеет больше преимуществ, чем недостатков. Одним из главных преимуществ, наряду с полем в базе, является возможность получения с помощью двойной диффузии малых толщин базы. При этом опасность прокола базы значительно уменьшается, так как концентрация носителей в коллекторе много меньше, чем в базе, и при увеличении VK область объемного заряда расширяется в основном в область коллектора. [14]
 |
Распределение потенциалов в транзисторе р-п - р. а - в состоянии покоя. б - при прямом включении транзистора. [15] |
Страницы: 1 2